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K3847-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,60V,70A,RDS(ON),10mΩ@10V,12mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.5Vth(V) 封装:TO220F
供应商型号: K3847-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K3847-VB

K3847-VB概述

    K3847-VB N-Channel 60-V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    K3847-VB 是一款由 VBsemi 生产的 N-Channel 60-V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这款 MOSFET 特别适合应用于高压转换器、电机驱动、电源管理等电力电子系统中。其核心优势在于高可靠性、出色的热性能和卓越的电气特性。

    2. 技术参数


    - 绝对最大额定值
    - 栅极-源极电压 \( V{GS} \): ±20 V
    - 持续漏极电流 \( ID \)(\( TJ = 175^\circ\text{C} \), \( TA = 25^\circ\text{C} \)): 70 A, 50 A
    - 单次雪崩能量(脉冲宽度 ≤ 300 µs, 占空比 ≤ 2%): 125 mJ
    - 最大功率耗散 \( PD \)(\( TA = 25^\circ\text{C} \)): 136 W
    - 静态特性
    - 漏源击穿电压 \( V{DS} \): 60 V
    - 栅阈电压 \( V{GS(th)} \): 1 ~ 3 V
    - 源漏开启电压 \( V{SD} \): 0 V
    - 动态特性
    - 输入电容 \( C{iss} \): 2650 pF
    - 输出电容 \( C{oss} \): 470 pF
    - 反向传输电容 \( C{rss} \): 225 pF
    - 热阻
    - 最大结到环境热阻 \( R{thJA} \): 15 ~ 18 °C/W(瞬态)
    - 最大结到外壳热阻 \( R{thJC} \): 0.85 ~ 1.1 °C/W

    3. 产品特点和优势


    - 高温稳定性: 支持高达 175°C 的结温,确保在极端温度下仍能可靠运行。
    - 低导通电阻 \( R{DS(on)} \): 在 \( V{GS} = 10 \text{V} \) 下,\( R{DS(on)} \) 仅为 0.010 Ω,有助于减少损耗,提高效率。
    - 高可靠性: 强大的封装设计,能够在恶劣环境下稳定工作。
    - 高雪崩耐受能力: 能够承受高达 125 mJ 的单次雪崩能量,适合于高瞬态电流的应用场景。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例: K3847-VB MOSFET 常用于高频开关电源、电机驱动、电动汽车充电站等领域。
    - 使用建议:
    - 在设计电路时,确保 \( V{GS} \) 不超过额定值,以避免损坏。
    - 由于其高导通电阻特性,在高电流应用中需要注意散热,确保有效冷却。
    - 在使用过程中,要遵循手册中推荐的工作条件,如工作温度范围和最大功率耗散限制。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: K3847-VB 适用于标准 TO-220 FULLPAK 封装,与大多数工业标准接口兼容。
    - 支持和服务: VBsemi 提供全面的技术支持和售后服务,包括产品咨询、应用指导和技术文档下载。如有问题,请联系服务热线:400-655-8788。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题: 额定漏极电流过高导致器件过热。
    - 解决方案: 确保电路设计满足热设计要求,使用适当的散热器或散热片进行散热。
    - 问题: 器件无法正常工作。
    - 解决方案: 检查输入信号和接线,确认 \( V{GS} \) 电压和 \( V{DS} \) 电压正确设置,同时检查是否存在外部干扰或接线错误。

    7. 总结和推荐


    K3847-VB MOSFET 具备优异的电气特性和可靠性能,非常适合于需要高可靠性和高性能的电力电子应用。其出色的高温稳定性和低导通电阻使其成为众多应用的理想选择。总体而言,强烈推荐在高功率电力系统中使用 K3847-VB。对于任何具体应用,请务必参考官方技术手册并进行详细验证。

K3847-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 60V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.5V
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 10mΩ@10V,12mΩ@4.5V
通道数量 -
Id-连续漏极电流 70A
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
最大功率耗散 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K3847-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K3847-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K3847-VB K3847-VB数据手册

K3847-VB封装设计

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