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K3049TK5A60-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n单N沟道MOSFET,采用Plannar技术,具有高性能和可靠性。该产品具有650V的漏极-源极电压(VDS)、30V的栅极-源极电压(VGS)、以及3.5V的阈值电压(Vth)。其封装为TO220F,适用于各种应用场景。
供应商型号: K3049TK5A60-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K3049TK5A60-VB

K3049TK5A60-VB概述

    K3049TK5A60-VB Power MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    K3049TK5A60-VB 是一款高性能的N沟道增强型功率MOSFET,专为高效率电源管理和开关应用设计。其核心特点在于极低的导通电阻(RDS(on))和超低门极电荷(Qg),使其能够显著减少开关损耗并提高系统整体能效。该产品广泛应用于服务器与电信电源、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)电源以及照明系统,包括高强度放电灯(HID)和荧光灯镇流器等领域。工业领域的严苛需求也使得这款MOSFET成为理想的选型对象。

    技术参数


    以下是K3049TK5A60-VB的技术规格汇总:
    | 参数名称 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | - | - | 650 | V |
    | 漏源击穿电压 | BVDSS | - | - | 650 | V |
    | 导通电阻(典型值) | RDS(on) | - | 0.06 | - | Ω |
    | 零门极电压漏电流 | IDSS | - | - | 1 | µA |
    | 输出电容 | Coss | - | - | - | pF |
    | 总门极电荷 | Qg | - | 10 | - | nC |
    | 输入电容 | Ciss | - | - | - | pF |
    | 最大连续漏极电流 | ID | - | - | 40 | A |
    | 最大脉冲漏极电流 | IDM | - | - | 135 | A |
    | 最大耗散功率 | PD | - | - | 180 | W |
    | 热阻(结到环境) | RthJA | - | - | 63 | °C/W |
    工作环境:
    - 工作温度范围:-55°C 至 +150°C
    - 储存温度范围:-55°C 至 +150°C

    产品特点和优势


    1. 卓越的性能表现: 极低的导通电阻和总门极电荷(FOM = RDS(on) × Qg),大幅降低功耗。
    2. 快速开关特性: 通过低输入电容和超低门极电荷,减少开关过程中的能量损失。
    3. 可靠性高: 支持重复脉冲条件下的高雪崩能量等级,适用于恶劣环境。
    4. 紧凑封装: TO-220 Fullpak 封装,便于安装和散热管理。

    应用案例和使用建议


    1. 服务器与电信电源: K3049TK5A60-VB 可用于高效AC/DC转换器设计中,通过降低功耗提升电源效率。
    2. 照明系统: 在 HID 和荧光灯系统中,利用其快速开关特性来优化光输出质量。
    3. 工业控制: 在高频逆变器中实现高效电力传输,特别是在负载变化频繁的情况下表现优异。
    使用建议:
    - 确保电路设计中的门极驱动电路能够提供足够的电压范围,避免因门极驱动不足导致的导通失效。
    - 对于高频应用,需考虑降低电路的寄生电感以优化性能。
    - 考虑热管理,合理设计散热器以保证结温低于150°C的最大额定值。

    兼容性和支持


    K3049TK5A60-VB 与市面上常见的电路板设计具有良好的兼容性,适用于多种主流的PCB焊接工艺。制造商提供详尽的技术文档和支持服务,客户可以通过服务热线(400-655-8788)获取帮助。此外,VBsemi承诺所有产品符合RoHS和无卤标准,确保绿色环保合规性。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 开关速度慢 | 确认门极驱动电路的电压是否足够高;检查门极电荷参数是否满足要求。 |
    | 系统过热 | 增加散热片或风扇改善热传导;优化电路布局以降低热阻。 |
    | 高频时门极震荡 | 添加缓冲电路(RC网络)以平滑门极波形;检查寄生电感的大小。 |

    总结和推荐


    K3049TK5A60-VB 功率MOSFET 是一款性能优越、可靠性高的产品,非常适合高效率、高频率的电源和工业应用场景。凭借其出色的热特性、快速开关性能及低功耗设计,它在市场上极具竞争力。对于需要降低能耗和提升系统效率的设计工程师而言,K3049TK5A60-VB 是一个值得推荐的选择。

    联系咨询: 服务热线 400-655-8788
    官网地址: www.VBsemi.com

K3049TK5A60-VB参数

参数
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 830mΩ@ 10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 650V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.36V
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 10A
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K3049TK5A60-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K3049TK5A60-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K3049TK5A60-VB K3049TK5A60-VB数据手册

K3049TK5A60-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 4.2759
100+ ¥ 3.9592
500+ ¥ 3.8008
1000+ ¥ 3.6425
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