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K1880L-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,650V,2A,RDS(ON),4300mΩ@10V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO251 可用于电源管理模块、太阳能光伏逆变器、 LED驱动器、电动工具驱动器等产品,产品具有高漏极电阻和低漏极电流,适用于多种领域和模块。
供应商型号: K1880L-VB TO251
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K1880L-VB

K1880L-VB概述


    产品简介


    K1880L N-Channel MOSFET
    K1880L是一款由台湾VBsemi公司生产的N沟道功率MOSFET,主要用于高效率开关电源、逆变器和其他需要高可靠性的电力电子应用。这款MOSFET采用了先进的设计和制造工艺,具有低门极电荷、强健的栅极和雪崩性能,能够在恶劣的工作环境中稳定运行。产品符合RoHS标准,无卤素,环保可靠。

    技术参数


    - 漏源电压(VDS):650V
    - 门源电压(VGS):±30V
    - 连续漏电流(ID):TC = 25°C时为1.28A;TC = 100°C时为45W
    - 脉冲漏电流(IDM):8A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):165mJ
    - 重复雪崩电流(IAR):2A
    - 重复雪崩能量(EAR):6mJ
    - 最大功率耗散(PD):TC = 25°C时为45W
    - 门极充电量(Qg):最大值为11nC
    - 输入电容(Ciss):417pF
    - 输出电容(Coss):45pF
    - 反向传输电容(Crss):5pF
    - 导通电阻(RDS(on)):VGS = 10V,ID = 1A时为4.0Ω
    - 工作温度范围(TJ, Tstg):-55°C至+150°C

    产品特点和优势


    K1880L N-Channel MOSFET具备以下显著特点和优势:
    1. 低门极电荷(Qg):低门极电荷意味着简单的驱动要求,有助于减少功耗和提高能效。
    2. 增强的栅极、雪崩和动态dv/dt耐用性:该MOSFET能够承受高电压变化率,确保在恶劣环境下的稳定运行。
    3. 完全表征的电容和雪崩电压电流:这些参数经过严格测试和表征,提供了可靠的性能保证。
    4. RoHS合规:符合RoHS指令,环保可靠。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 高效率开关电源:利用K1880L在高频开关应用中的高能效特性,可以显著降低系统的损耗和温升。
    - 逆变器:K1880L在逆变器应用中表现出色,能够提供高可靠性和平稳的电流转换。
    - 电机驱动:该MOSFET适用于需要频繁启停的电机控制应用,具有优秀的动态响应性能。
    使用建议
    1. 驱动电路设计:考虑到低门极电荷的特点,建议使用简单的驱动电路来减少功耗。
    2. 散热管理:由于工作电流较大,需要合理设计散热系统以避免过热。
    3. 选择合适的栅极电阻(RG):适当调节栅极电阻可以优化驱动速度和开关损耗。

    兼容性和支持


    K1880L MOSFET与大多数标准驱动电路兼容,制造商提供了详细的技术文档和支持。客户可以联系台湾VBsemi的服务热线(400-655-8788)获取更多技术支持和产品文档。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:MOSFET出现过早损坏。
    解决方案:检查散热设计是否合理,确保散热器与MOSFET接触良好,避免过热。
    2. 问题:驱动电路难以启动MOSFET。
    解决方案:确认栅极电阻(RG)的阻值是否合适,确保足够的驱动电压和电流。
    3. 问题:开关过程中出现振荡。
    解决方案:在驱动电路中加入适当的RC网络来抑制振荡。

    总结和推荐


    综合评估
    K1880L N-Channel MOSFET是一款高性能、高可靠性的MOSFET,适用于多种电力电子应用。其低门极电荷和增强的雪崩性能使其在各种恶劣环境下依然保持稳定运行。此外,该产品符合RoHS和无卤素标准,满足环保要求。
    推荐使用
    总体而言,K1880L N-Channel MOSFET是一个值得推荐的产品,特别是在需要高可靠性、低功耗和优秀性能的应用场景中。如果您正在寻找一款能够满足严苛要求的MOSFET,K1880L无疑是一个不错的选择。

K1880L-VB参数

参数
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 4.3Ω@ 10V
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 2A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
配置 -
通用封装 TO-251
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K1880L-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K1880L-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K1880L-VB K1880L-VB数据手册

K1880L-VB封装设计

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