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IRL3705NSTRL-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,150A,RDS(ON),4mΩ@10V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO263具有适中的功率承载能力、适中的导通电阻和稳定的工作特性,能够满足中等功率、高电流应用的要求,是一款适用于中等功率电路控制和驱动应用的MOSFET产品。
供应商型号: IRL3705NSTRL-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRL3705NSTRL-VB

IRL3705NSTRL-VB概述

    IRL3705NSTRL-VB N-Channel 60 V MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    IRL3705NSTRL-VB 是一款由 VBsemi 生产的 N 沟道 60V(D-S)功率 MOSFET,采用了先进的 TrenchFET® 功率 MOSFET 技术。这款 MOSFET 被广泛应用于电源管理和控制领域,适用于各种高效率电子设备。

    技术参数


    - 工作电压:漏源电压 \( V{DS} \) 最大值为 60V。
    - 门极电压:门源电压 \( V{GS} \) 可以达到 ±20V。
    - 持续漏电流:最大漏电流 \( ID \) 为 120A(Tc = 125°C)。
    - 瞬态漏电流:最大瞬态漏电流 \( I{DM} \) 为 350A。
    - 雪崩电流:单脉冲雪崩电流 \( I{AS} \) 为 65A,单脉冲雪崩能量 \( E{AS} \) 为 211mJ。
    - 热阻抗:结至环境热阻 \( R{thJA} \) 为 40°C/W(PCB安装时),结至管壳热阻 \( R{thJC} \) 为 0.65°C/W。
    - 工作温度范围:结温和存储温度范围 \( T{J}, T{stg} \) 为 -55°C 至 +175°C。

    产品特点和优势


    - 高效能:采用 TrenchFET® 技术,具备低导通电阻(RDS(on) 最大值为 4mΩ@VGS=10V)和高电流处理能力。
    - 可靠性强:所有产品都经过 100% 的门极电阻和雪崩测试,确保高可靠性。
    - 良好的散热性能:低热阻抗设计有助于提高散热效果,延长使用寿命。

    应用案例和使用建议


    - 开关电源:IRL3705NSTRL-VB 适用于各类开关电源的设计,如 DC/DC 转换器和线性稳压器。
    - 电机驱动:在电机驱动系统中作为功率开关使用,提供可靠的电流控制和保护。
    - 建议使用:为了充分发挥其性能,在设计电路时要合理选择散热方式,并确保门极驱动电路能够提供足够的驱动能力,以减少开关损耗。

    兼容性和支持


    - 兼容性:IRL3705NSTRL-VB 可以与其他标准 MOSFET 和电路板设计兼容,提供良好的通用性。
    - 支持:VBsemi 提供全方位的技术支持和售后服务,包括详细的产品文档和在线技术支持,帮助客户解决问题。

    常见问题与解决方案


    - Q1: MOSFET 开关频率较低,如何提升?
    - A1: 检查驱动电路的门极电阻(Rg)是否足够小,确保有足够的驱动电流。
    - Q2: 热管理存在问题,该如何解决?
    - A2: 使用合适的散热片,并根据需要优化散热设计,确保结温不超过安全上限。
    - Q3: 漏电流过高,可能的原因是什么?
    - A3: 检查电路是否存在短路或过载情况,调整电路设计以减少这些异常情况的发生。

    总结和推荐


    IRL3705NSTRL-VB 是一款高性能、高可靠性的 N 沟道 60V MOSFET,具有低导通电阻和高电流处理能力,适用于多种电力电子应用。其强大的热管理和高可靠性使得它成为工业和消费电子产品中的理想选择。强烈推荐在需要高效率和高可靠性的应用中使用该产品。

IRL3705NSTRL-VB参数

参数
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 150A
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
Rds(On)-漏源导通电阻 4mΩ@ 10V
最大功率耗散 -
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IRL3705NSTRL-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRL3705NSTRL-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRL3705NSTRL-VB IRL3705NSTRL-VB数据手册

IRL3705NSTRL-VB封装设计

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