处理中...

首页  >  产品百科  >  NP70N10KUF-VB

NP70N10KUF-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,100V,70A,RDS(ON),18mΩ@10V,22mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO263
供应商型号: NP70N10KUF-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NP70N10KUF-VB

NP70N10KUF-VB概述

    NP70N10KUF Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    NP70N10KUF 是一款高性能的N沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管(Power MOSFET),适用于多种高可靠性要求的应用场合。它具备低导通电阻、快速开关速度、高动态dv/dt耐量等特点。该产品广泛应用于电源管理、电机驱动、工业控制等领域。

    技术参数


    以下是NP70N10KUF的主要技术参数和电气特性:
    - 漏源电压 (VDS):100 V
    - 栅源阈值电压 (VGS(th)):2.0 ~ 4.0 V
    - 导通电阻 (RDS(on))(VGS = 10 V):0.020 Ω
    - 总栅极电荷 (Qg):最大 70 nC
    - 栅源电荷 (Qgs):13 nC
    - 栅漏电荷 (Qgd):39 nC
    - 连续漏极电流 (ID)(TC = 25 °C):70 A
    - 脉冲漏极电流 (IDM):250 A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):580 mJ
    - 最高结温 (TJ, Tstg):-55 °C ~ +150 °C

    产品特点和优势


    1. 卤素无害:符合IEC 61249-2-21标准定义。
    2. 表面贴装技术:适合现代高密度PCB设计。
    3. 低热阻:RthJA 最大为 40 °C/W,RthJC 最大为 1.0 °C/W。
    4. 高速开关:适合高频应用,例如逆变器和DC/DC转换器。
    5. 抗雪崩能力:全面通过雪崩测试,适合瞬态过压应用。

    应用案例和使用建议


    1. 电源管理:适用于各类开关电源,如DC/DC转换器和AC/DC整流器。
    2. 电机驱动:能够承受瞬态高压,适用于电动汽车、机器人等领域的电机驱动系统。
    3. 工业控制:在恶劣环境下保持稳定的运行表现,如工厂自动化设备。
    使用建议:
    - 在使用时应确保散热片的使用,以避免温度过高影响性能。
    - 高频应用时需注意PCB布局设计,减少寄生电感的影响。
    - 对于瞬态过压情况,需增加外部保护电路以保护MOSFET。

    兼容性和支持


    NP70N10KUF与市面上常见的电子元器件兼容良好,可直接替换其他品牌的产品。供应商提供全面的技术支持和售后服务,确保客户在使用过程中无后顾之忧。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:温度过高导致性能下降
    - 解决方案:确保散热片的安装,并根据应用环境选择合适的散热方案。

    2. 问题:开关损耗过大
    - 解决方案:优化PCB布局,减少寄生电感,降低导通时间和关断时间。

    总结和推荐


    NP70N10KUF 功率MOSFET是一款高性能、高可靠性的电子元器件,在电源管理和电机驱动领域表现出色。其优良的电气特性和广泛的适用性使其成为众多应用的理想选择。强烈推荐给需要高性能MOSFET的工程师和技术人员。

NP70N10KUF-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 70A
最大功率耗散 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 18mΩ@10V,22mΩ@4.5V
栅极电荷 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 100V
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

NP70N10KUF-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NP70N10KUF-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NP70N10KUF-VB NP70N10KUF-VB数据手册

NP70N10KUF-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 4.2759
100+ ¥ 3.9592
500+ ¥ 3.8008
800+ ¥ 3.6425
库存: 400000
起订量: 10 增量: 800
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 42.75
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504