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K1657-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单通道N沟道场效应晶体管(Single N),采用Trench工艺制造。它的主要参数包括:最大漏极-源极电压(VDS)为30V,最大栅极-源极电压(VGS)为±20V,阈值电压(Vth)为1.7V,以及在不同栅极-源极电压下的导通电阻等。该器件采用SOT23-3封装,适用于需要高性能、高可靠性的电子系统,如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。
供应商型号: K1657-VB SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K1657-VB

K1657-VB概述

    高性能N-Channel 30-V MOSFET技术手册解析

    1. 产品简介


    本产品为一款高性能的N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用TrenchFET®技术制造。该器件专为高效能直流/交流转换及低功耗应用设计,符合RoHS环保标准,并且不含卤素,符合IEC 61249-2-21标准。其主要功能包括:
    - 主要功能:高开关速度、低导通电阻、快速恢复特性。
    - 典型应用:DC/DC转换器、电池管理、电机驱动等。

    2. 技术参数


    以下是该产品的核心性能参数和技术规格:
    | 参数 | 符号 | 最小值 (Min) | 典型值 (Typ) | 最大值 (Max) | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS 30 | V |
    | 栅源阈值电压 | VGS(th) | 0.7 | 2.0 V |
    | 导通状态漏源电阻 | RDS(on) | 0.030 | 0.033 Ω |
    | 栅电荷(总) | Qg | 2.1 | 4.5 | 6.7 | nC |
    | 工作温度范围 | TJ, Tstg | -55 150 | °C |
    | 最大功率耗散 | PD | 1.1 1.7 | W |
    | 热阻抗(结至环境) | RthJA | 60 | 75 °C/W |
    工作条件:
    - 输入电压:最高可达30V。
    - 工作环境:适用于工业级应用,耐温范围为-55°C至150°C。

    3. 产品特点和优势


    1. 高效能设计:
    - TrenchFET技术确保低导通电阻(RDS(on)),减少功率损耗。
    - 高速开关特性,适用于高频应用。
    2. 高可靠性:
    - 所有产品经过100%栅极电阻测试,符合RoHS和无卤素要求。
    3. 广泛的适用性:
    - 支持多种电路拓扑结构,尤其适合DC/DC转换器和电机控制等场景。
    4. 优化性能:
    - 快速恢复特性减少动态损耗,提升系统效率。

    4. 应用案例和使用建议


    典型应用场景
    - DC/DC转换器:用于电源管理系统中,提高能量转换效率。
    - 电机驱动:用于小型电机驱动电路,提供稳定的电流控制。
    - 便携式设备:适配于电池供电设备,满足紧凑空间需求。
    使用建议
    - 布局优化:确保栅极和源极引脚之间的布线尽量短,以减少寄生电感。
    - 散热设计:在高功率场景下,建议添加外部散热片或铜板以降低热阻抗。

    5. 兼容性和支持


    该产品采用标准的SOT-23封装,尺寸紧凑,易于焊接和集成。其与大多数主流电路板和模块具有良好的兼容性。厂商提供全面的技术支持,包括:
    - 在线文档和培训资料。
    - 专业的技术支持团队。
    - 定期的产品更新和升级通知。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关过程中发热严重 | 改善PCB布局,增加散热器。 |
    | 阈值电压偏移 | 检查驱动电路设计,调整输入信号。 |
    | 静态电流过大 | 检查负载连接,避免短路。 |

    7. 总结和推荐


    这款N-Channel 30-V MOSFET凭借其卓越的性能和广泛的应用领域,成为电源管理和控制系统中的理想选择。它的低导通电阻、高开关速度和高可靠性使其在市场上具备显著的竞争优势。强烈推荐给需要高效能和紧凑设计的工程师和技术人员。
    最终评价:
    ★★★★☆(4/5)——高度推荐,尤其适用于需要高性能和低功耗的应用场景。
    联系服务:如需进一步咨询或购买,请拨打服务热线:400-655-8788。
    官方网站:[www.VBsemi.com](http://www.VBsemi.com)

K1657-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 6.5A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.2V~2.2V
Rds(On)-漏源导通电阻 30mΩ@10V,33mΩ@4.5V
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

K1657-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K1657-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K1657-VB K1657-VB数据手册

K1657-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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500+ ¥ 0.3105
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