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HUF76423S3ST-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,60V,40A,RDS(ON),23mΩ@10V,27mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.9Vth(V) 封装:TO263一款高性能的功率MOSFET,适用于多种领域的功率电子应用。具有高效、稳定和可靠的特性,可满足不同应用场景的需求。
供应商型号: HUF76423S3ST-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) HUF76423S3ST-VB

HUF76423S3ST-VB概述

    HUF76423S3ST-VB N-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    HUF76423S3ST-VB 是一款由 VBsemi 生产的 N 沟道 MOSFET,主要用于表面安装。该产品符合 RoHS 和无卤素标准,具有逻辑电平门驱动和快速开关的优点,适用于多种应用场合,如电源管理、电机控制和信号处理等。

    技术参数


    以下是 HUF76423S3ST-VB 的主要技术参数:
    - 最大耐压(VDS):60V
    - 最大栅极电压(VGS):±10V
    - 连续漏极电流(TC=25°C):50A
    - 脉冲漏极电流(IDM):200A
    - 最大功率耗散(TC=25°C):150W
    - 零栅极电压漏极电流(IDSS):25μA @ VDS = 48V, TJ = 150°C
    - 导通电阻(RDS(on)):0.032Ω @ VGS = 10V, 0.035Ω @ VGS = 4.5V
    - 阈值电压(VGS(th)):1.0V 至 3.0V
    - 输入电容(Ciss):3000pF
    - 反向恢复时间(trr):130ns 至 180ns
    - 正向恢复电荷(Qrr):0.84μC 至 1.3μC
    - 热阻抗(RthJA):最大 62°C/W

    产品特点和优势


    1. 无卤素设计:符合 IEC 61249-2-21 标准,更加环保。
    2. 逻辑电平门驱动:降低驱动电路复杂度。
    3. 快速开关特性:提高效率,减少能量损失。
    4. 高可靠性:最大功率耗散高达 150W,适合大功率应用。
    5. 紧凑型封装:采用 D2PAK 封装,适用于空间受限的设计。

    应用案例和使用建议


    - 电源管理:在开关电源中作为开关管使用,因其快速开关特性和低导通电阻可以有效提高转换效率。
    - 电机控制:利用其高电流能力进行电机驱动,实现精确控制。
    - 信号处理:可用于信号放大和开关电路中。
    使用建议:
    - 在高温环境下使用时,应注意散热,确保功率耗散不超过极限值。
    - 确保电路布局合理,减小寄生电感和泄漏电感的影响。

    兼容性和支持


    HUF76423S3ST-VB 支持通过标准表面贴装工艺安装,可与其他同类型 MOSFET 兼容。VBsemi 提供技术支持和售后服务,以帮助客户解决使用过程中遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    - 问题:在高温环境下,器件出现过热现象。
    - 解决方案:增加散热措施,如使用散热片或散热风扇,改善散热条件。
    - 问题:在开关频率较高时,开关损耗增加。
    - 解决方案:选择更低栅极电荷(Qg)的产品,或优化驱动电路以减少开关损耗。

    总结和推荐


    HUF76423S3ST-VB N-Channel MOSFET 在多个方面表现出色,具备无卤素设计、逻辑电平门驱动和快速开关等优势。它适用于电源管理和电机控制等多种应用场合。如果需要一个高效且可靠的 MOSFET,HUF76423S3ST-VB 是一个不错的选择。强烈推荐给需要高性能 MOSFET 的工程师和技术人员。
    本手册详细介绍了 HUF76423S3ST-VB 的主要技术规格和特性,帮助用户更好地了解和使用这款 MOSFET。如有更多疑问,欢迎联系我们的服务热线:400-655-8788。

HUF76423S3ST-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 60V
配置 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 40A
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 23mΩ@10V,27mΩ@4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.9V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

HUF76423S3ST-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

HUF76423S3ST-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 HUF76423S3ST-VB HUF76423S3ST-VB数据手册

HUF76423S3ST-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 2.5199
500+ ¥ 2.419
800+ ¥ 2.3183
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