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2SK2415-Z-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,18A,RDS(ON),73mΩ@10V,85mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO252\n用于设计LED照明驱动器模块,用于室内和室外照明系统,提供稳定的电流输出和高效的能量转换,满足建筑照明、道路照明和景观照明等领域的需求。
供应商型号: 2SK2415-Z-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 2SK2415-Z-VB

2SK2415-Z-VB概述

    # 2SK2415-Z N-Channel 60V MOSFET 技术手册

    产品简介


    2SK2415-Z 是一种 N 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有低导通电阻和高可靠性。这种 MOSFET 被广泛应用于直流/直流转换器、直流/交流逆变器以及电机驱动系统中。由于其卓越的电气特性和稳定性,该产品成为现代电子设计中不可或缺的元件之一。

    技术参数


    基本参数
    - 最大漏源电压 \( V{DS} \): 60 V
    - 最大栅源电压 \( V{GS} \): ±20 V
    - 最大连续漏电流 \( ID \): 18 A(\( TC \) = 25°C)
    - 最大脉冲漏电流 \( I{DM} \): 25 A(\( t \) ≤ 300 µs)
    - 最大单次雪崩能量 \( E{AS} \): 11.25 mJ(\( L \) = 0.1 mH)
    导电特性
    - 静态导通电阻 \( R{DS(on)} \):
    - \( V{GS} = 10 \text{ V} \): 0.073 Ω
    - \( V{GS} = 4.5 \text{ V} \): 0.085 Ω
    - 零栅极电压漏电流 \( I{DSS} \):
    - \( V{DS} = 60 \text{ V}, V{GS} = 0 \text{ V} \): 1 µA
    - \( TJ = 125 °\text{C} \): 50 µA
    - \( TJ = 150 °\text{C} \): 250 µA
    动态参数
    - 输入电容 \( C{iss} \): 660 pF(\( V{DS} = 30 \text{ V}, V{GS} = 0 \text{ V} \))
    - 输出电容 \( C{oss} \): 85 pF
    - 反向传输电容 \( C{rss} \): 40 pF
    - 总栅极电荷 \( Qg \): 19.8 nC(\( V{DS} = 30 \text{ V}, V{GS} = 10 \text{ V} \))
    热阻参数
    - 结到环境热阻 \( R{thJA} \): 60 °C/W
    - 结到外壳热阻 \( R{thJC} \): 3 °C/W

    产品特点和优势


    - TrenchFET® Power MOSFET: 采用先进的沟槽技术,确保高效率和低功耗。
    - 100% Rg and UIS 测试: 保证每个器件经过严格测试,可靠性高。
    - 合规材料分类: 符合欧洲议会指令2011/65/EU的规定,确保产品环保。
    - 适用于多种应用: 如直流/直流转换器、直流/交流逆变器和电机驱动系统。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. 直流/直流转换器: 用于电池管理系统中的电源管理。
    2. 直流/交流逆变器: 在光伏逆变器系统中提供高效转换。
    3. 电机驱动: 用于电动车辆和工业控制系统的电机驱动电路。
    使用建议
    - 在选择合适的栅极电阻 \( Rg \) 时,需要平衡开关速度和功耗。例如,在高频应用中可能需要较小的 \( Rg \),而在要求更低功耗的应用中则可选用较大的 \( Rg \)。
    - 根据工作温度范围(-55°C 到 150°C)选择适合的工作条件,确保器件在极端环境下的稳定运行。

    兼容性和支持


    2SK2415-Z MOSFET 与各种标准 PCB 尺寸兼容,如 1 英寸方形 FR-4 材质板。产品得到了制造商的全面支持,包括详尽的技术文档、应用指南及售后服务热线 400-655-8788。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关速度慢 | 减小栅极电阻 \( Rg \) |
    | 过热 | 改善散热措施或降低工作负载 |
    | 高频下出现振铃 | 增加栅极去耦电容 |

    总结和推荐


    综上所述,2SK2415-Z N-Channel 60V MOSFET 是一款高度可靠且多用途的产品,特别适用于各种高效率电子系统的设计。该器件具备出色的性能参数、低导通电阻和广泛的温度适应性。我们强烈推荐在需要高性能、高可靠性的应用中使用此产品。

2SK2415-Z-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
Rds(On)-漏源导通电阻 73mΩ@10V,85mΩ@4.5V
配置 -
Id-连续漏极电流 18A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
最大功率耗散 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

2SK2415-Z-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

2SK2415-Z-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 2SK2415-Z-VB 2SK2415-Z-VB数据手册

2SK2415-Z-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.36
100+ ¥ 1.2593
500+ ¥ 1.2089
2500+ ¥ 1.1586
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起订量: 20 增量: 2500
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型号 价格(含增值税)
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