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9960GH-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,40V,50A,RDS(ON),12mΩ@10V,14mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.78Vth(V) 封装:TO252 由于其中等漏极电流和适中的漏极-源极电阻,可用于设计各种电源模块,如直流-直流(DC-DC)转换器和交流-直流(AC-DC)转换器。
供应商型号: 9960GH-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 9960GH-VB

9960GH-VB概述


    产品简介


    N-Channel 40-V (D-S) MOSFET是一款高性能的功率金属氧化物半导体场效应晶体管(Power MOSFET),专为高效率电力转换和管理设计。它采用TrenchFET®技术,具有优异的导通电阻(RDS(on))和低栅极电荷(Qg),适用于多种应用场合,如OR-ing电路、服务器电源及DC/DC转换器等。

    技术参数


    | 参数 | 值 |

    | 最大漏源电压(VDS) | 40 V |
    | 漏源导通电阻(RDS(on)) | 0.013 Ω (VGS=10V), 0.01 Ω (VGS=4.5V) |
    | 持续漏极电流(ID) | 15.8 A (TA=25°C), 12 A (TA=70°C) |
    | 脉冲漏极电流(IDM) | 200 A |
    | 单脉冲雪崩能量(EAS) | 94.8 mJ |
    | 工作温度范围(TJ, Tstg) | -55°C 至 175°C |

    产品特点和优势


    N-Channel 40-V (D-S) MOSFET具备以下特点和优势:
    1. TrenchFET®技术:具有更低的导通电阻,从而降低功耗和提高效率。
    2. 100% Rg和UIS测试:确保每个产品的可靠性和稳定性。
    3. RoHS合规:符合欧盟RoHS指令要求,环保无害。
    4. 优秀的散热性能:通过高热阻率RthJA(最高可达40°C/W)来保证在高温下的稳定运行。

    应用案例和使用建议


    N-Channel 40-V (D-S) MOSFET非常适合用于OR-ing电路,这是一种常见的电源冗余配置方式。在设计OR-ing电路时,建议选择合适的栅极驱动电压以确保快速开关性能,同时注意散热设计以避免过热现象。
    在服务器电源应用中,由于需要处理大量电流,建议使用并联多个MOSFET以分担负载,提高系统可靠性。此外,在安装时应确保良好的散热条件,例如使用散热片或风扇。

    兼容性和支持


    N-Channel 40-V (D-S) MOSFET可与多种标准封装和接口兼容,方便集成到现有系统中。VBsemi公司提供了详尽的技术支持和文档资料,帮助客户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    1. Q: 如何确定MOSFET的最大电流?
    - A: 查阅产品数据手册中的绝对最大额定值表,根据应用温度选择相应的电流值。

    2. Q: MOSFET在高温环境下如何保证可靠性?
    - A: 使用外部散热措施,如散热片或风扇,确保MOSFET的温度保持在安全范围内。
    3. Q: 如何优化栅极驱动电压以提高效率?
    - A: 在设计栅极驱动电路时,选择适当的栅极电阻(Rg)和驱动信号频率,确保MOSFET能高效地进行开关操作。

    总结和推荐


    N-Channel 40-V (D-S) MOSFET凭借其高效的导通性能、稳定的可靠性以及出色的散热能力,成为一款极具市场竞争力的产品。对于需要高效率电力管理和转换的应用场景,强烈推荐使用此款MOSFET。如果您对产品有任何疑问或需要进一步的支持,请联系VBsemi的技术支持团队。

9960GH-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 40V
Id-连续漏极电流 50A
通道数量 -
最大功率耗散 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 12mΩ@10V,14mΩ@4.5V
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.78V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

9960GH-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

9960GH-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 9960GH-VB 9960GH-VB数据手册

9960GH-VB封装设计

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