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IRL520S-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,100V,20A,RDS(ON),100mΩ@10V,106mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V) 封装:TO263
供应商型号: IRL520S-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRL520S-VB

IRL520S-VB概述

    IRL520S N-Channel 100-V MOSFET 技术手册

    产品简介


    IRL520S 是一款采用 TrenchFET® 技术的 N-Channel MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要应用于隔离式直流-直流转换器。该器件具有低导通电阻(RDS(on))和高击穿电压(V(BR)DSS),能够在高温环境中稳定运行,非常适合电源管理和电机控制等领域。

    技术参数


    - 基本特性:
    - 击穿电压(V(BR)DSS):100 V
    - 导通电流(ID):20 A @ 25 °C
    - 高温结温(TJ):175 °C
    - 门极阈值电压(VGS(th)):1 V 至 3 V
    - 电气特性:
    - 导通电阻(rDS(on)):0.100 Ω @ 10 V, 20 A
    - 零门电压漏电流(IDSS):1 µA @ 100 V, 0 V
    - 输入电容(Ciss):950 pF @ 25 V, 1 MHz
    - 输出电容(Coss):280 pF
    - 反向转移电容(Crss):110 pF
    - 总栅极电荷(Qg):28 nC @ 100 V, 10 V, 65 A
    - 栅极-源极电荷(Qgs):nC
    - 栅极-漏极电荷(Qgd):nC
    - 栅极电阻(Rg):0.5 至 3.3 Ω
    - 开启延迟时间(td(on)):8 ns @ 100 V, 1.5 Ω, ID ≅ 65 A
    - 上升时间(tr):120 ns
    - 关闭延迟时间(td(off)):25 ns
    - 下降时间(tf):50 ns
    - 安全操作范围:
    - 最大门极-源极电压(VGS):±20 V
    - 最大门极-漏极电压(VGD):±20 V
    - 最大结到散热片热阻(RthJC):0.4 °C/W
    - 绝对最大功率耗散(PD):3.75 W @ 25 °C

    产品特点和优势


    - 高温稳定性:最高工作温度可达 175 °C,适用于高温环境。
    - 低导通电阻:0.100 Ω(@ 10 V, 20 A),提高效率并降低功耗。
    - 低热阻封装:有效提升热管理能力,确保长期可靠性。
    - 100% 栅极电阻测试:确保产品质量和一致性。

    应用案例和使用建议


    - 隔离式直流-直流转换器:适合需要高精度、高效能电源管理的应用。
    - 电机控制:适用于需要精确控制和快速响应的电机驱动系统。
    - 工业控制:适合工业自动化设备中的电源管理和控制。
    使用建议:
    - 在高频率应用中,注意寄生电容的影响,合理布局以减少杂散电感。
    - 在高温环境下,确保良好的散热设计,避免因过热导致性能下降。

    兼容性和支持


    - 兼容性:IRL520S 可与多种电路板设计兼容,尤其适用于 D2PAK 封装。
    - 支持:厂商提供全面的技术支持和售后服务,包括详细的技术文档和在线技术支持。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:在高频开关应用中发热严重。
    - 解决方案:优化电路布局,减少寄生电容的影响,增加散热措施,如加装散热片。
    - 问题2:导通电阻不稳定。
    - 解决方案:检查电路连接是否正确,确保栅极电阻(Rg)选择适当。
    - 问题3:器件过热。
    - 解决方案:加强散热设计,确保器件工作在安全范围内。

    总结和推荐


    IRL520S 是一款高性能的 N-Channel MOSFET,具有出色的高温稳定性和低导通电阻。适用于隔离式直流-直流转换器、电机控制及工业自动化设备中的电源管理。由于其优秀的电气特性和可靠性,我们强烈推荐此产品用于上述应用场合。

IRL520S-VB参数

参数
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 100V
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.7V
Rds(On)-漏源导通电阻 100mΩ@10V,106mΩ@4.5V
Id-连续漏极电流 20A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
配置 -
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IRL520S-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRL520S-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRL520S-VB IRL520S-VB数据手册

IRL520S-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.3325
100+ ¥ 2.1597
500+ ¥ 2.0733
800+ ¥ 1.987
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