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FB18N50K-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,650V,20A,RDS(ON),190mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220 用于工业电机调速控制的电力电子调速器中,该型号的MOSFET可以实现高效的电能转换和调节,提高设备的运行效率。
供应商型号: FB18N50K-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FB18N50K-VB

FB18N50K-VB概述


    产品简介


    FB18N50K-VB是一款由VBsemi公司生产的650伏特(D-S)超级结MOSFET晶体管,属于N-通道类型。这款产品主要应用于电信、照明、消费电子产品、工业控制、可再生能源系统和开关电源模块等场合。其卓越的设计和高性能使其成为多种复杂应用场景的理想选择。

    技术参数


    - 额定电压 (VDS): 650V
    - 最大漏源电流 (ID): 25°C时13A,150°C时2A
    - 导通电阻 (RDS(on)): 25°C时0.19Ω
    - 输入电容 (Ciss): 最大2322pF
    - 输出电容 (Coss): 最大105pF
    - 反向转移电容 (Crss): 最大-4pF
    - 总栅极电荷 (Qg): 最大106nC
    - 栅源电荷 (Qgs): 最大14nC
    - 栅漏电荷 (Qgd): 最大33nC
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 367mJ
    - 最大功率耗散 (PD): 208W
    - 工作温度范围: -55°C 至 +150°C
    - 栅源电压 (VGS): ±30V
    - 重复脉冲电流 (IDM): 60A

    产品特点和优势


    1. 低栅极电荷: FB18N50K-VB具有超低栅极电荷(Qg),有助于减少开关损耗。
    2. 快速恢复时间: 反向恢复时间和反向恢复电荷(trr和Qrr)显著降低,使得该产品适用于高效率的应用。
    3. 低导通电阻: 低导通电阻(RDS(on))确保在高电流应用中的高效能表现。
    4. 增强的可靠性: 在高工作温度和极端条件下,FB18N50K-VB仍能保持良好的性能,适合各种严苛环境。

    应用案例和使用建议


    FB18N50K-VB广泛应用于多个领域,例如服务器和通信电源供应、高亮度放电(HID)照明、荧光灯镇流器、ATX电源供应、焊接设备、电池充电器、太阳能逆变器和开关模式电源模块(SMPS)。
    使用建议:
    1. 散热管理: 确保适当的散热设计以避免过热,尤其是在连续高电流应用中。
    2. 电路布局: 避免长走线,尽量减少寄生电感,采用接地平面以提高性能。
    3. 驱动电路: 使用相同类型的驱动器并注意控制驱动信号的上升沿(dV/dt),以确保可靠操作。

    兼容性和支持


    FB18N50K-VB具有广泛的兼容性,可以轻松集成到现有的系统中。VBsemi提供全面的技术支持和客户服务中心,通过电话(400-655-8788)或网站(www.VBsemi.com)随时提供帮助。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 开关速度慢。
    - 解决方案: 检查驱动电路并确保驱动电压满足要求。增加栅极驱动电阻可以减慢开关速度,但可能影响性能。
    2. 问题: 散热不足。
    - 解决方案: 改进散热设计,如使用散热片或风扇。确保符合热阻要求(RthJA = 62°C/W)。
    3. 问题: 漏电流异常。
    - 解决方案: 检查电路中的任何漏电路径,并确保正确安装和连接所有组件。

    总结和推荐


    FB18N50K-VB凭借其低栅极电荷、低导通电阻和快速恢复特性,是一款非常适合高效率应用的高性能MOSFET。其广泛的适用范围和可靠的性能使其成为工业、消费电子及可再生能源领域的重要选择。我们强烈推荐FB18N50K-VB作为高性能、高可靠性的电子元件,适用于各种高要求的应用场景。

FB18N50K-VB参数

参数
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
通道数量 -
配置 -
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 30V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Id-连续漏极电流 20A
Rds(On)-漏源导通电阻 190mΩ@ 10V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

FB18N50K-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FB18N50K-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 FB18N50K-VB FB18N50K-VB数据手册

FB18N50K-VB封装设计

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