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NCE01P18D-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-100V,-40A,RDS(ON),50mΩ@10V,60mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-2Vth(V) 封装:TO263
供应商型号: 14M-STP9NK90Z-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NCE01P18D-VB

NCE01P18D-VB概述


    产品简介


    NCE01P18D 是一款采用 D2PAK(TO-263)封装的 P 通道 100 V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。作为一款高性能的功率 MOSFET,这款器件特别适用于需要高效率和高可靠性的电源管理、电机控制及工业应用等领域。

    技术参数


    以下是 NCE01P18D 的关键技术和电气特性:
    - 耐压能力:漏源电压 \(V{DS}\) 高达 100 V。
    - 导通电阻 \(R{DS(on)}\):在 \(V{GS} = -10 \, \text{V}\) 时为 0.040 Ω,在 \(V{GS} = -4.5 \, \text{V}\) 时为 0.050 Ω。
    - 连续漏极电流 \(ID\):在 \(TJ = 150 °C\) 下可达 37 A。
    - 栅源电荷 \(Qg\):典型值为 54 nC(在 \(V{GS} = -10 \, \text{V}\))。
    - 最大脉冲漏极电流 \(I{DM}\):可达 150 A。
    - 最高工作温度 \(T{J}\):范围为 -55°C 至 150°C。
    - 热阻:在 PCB 安装下,热阻 \(R{thJA}\) 为 40°C/W。

    产品特点和优势


    NCE01P18D 具备以下特点和优势:
    - 低导通电阻 \(R{DS(on)}\):在较低的栅极电压下仍能保持较低的导通电阻,这有助于减少功率损耗。
    - 高电流处理能力:具有出色的连续漏极电流和脉冲电流处理能力,适合高电流应用。
    - 高可靠性:设计上保证了高温环境下也能稳定运行,提高了产品的可靠性。
    - 快速开关性能:由于低栅极电荷,使得开关速度更快,有效降低功耗和电磁干扰。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    NCE01P18D 广泛应用于电机驱动、开关电源转换、直流-交流逆变器等场合。例如,在电机驱动中,通过其高效率和高可靠性确保电机能够长时间稳定运行。
    使用建议
    1. 散热管理:考虑到 \(R{thJA}\) 较高,合理设计散热路径是必要的。可以使用较大的散热片或散热管以提高散热效率。
    2. 电流控制:为了防止过流,建议外接限流电路。同时,要确保负载和电路能够承受最大瞬态电流。
    3. PCB布局:在设计 PCB 布局时,应注意保持适当的走线距离以避免电磁干扰,同时也要考虑散热需求。

    兼容性和支持


    NCE01P18D 具有一定的兼容性,可以与其他标准 MOSFET 设备和控制器配合使用。VBsemi 提供全面的技术支持和服务,包括但不限于应用指导、故障诊断和维修服务。如有疑问,客户可以通过其全国统一服务热线 400-655-8788 获取帮助。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何处理过热问题?
    - 解决方法:增加散热措施,如使用散热片或散热管;检查散热是否足够,并优化电路设计以降低功耗。
    2. 问题:如何避免过电流损坏?
    - 解决方法:在外围电路中加入电流保护装置,例如保险丝或电路断路器,确保系统在异常情况下能够及时切断电流。
    3. 问题:开关频率过高导致损耗增加怎么办?
    - 解决方法:优化电路布局,使用适当的电容器以减小寄生电感;调整电路参数以降低损耗。

    总结和推荐


    综上所述,NCE01P18D 是一款极具竞争力的 P 通道 MOSFET,具备优良的性能和广泛的应用场景。对于需要高效、高可靠性的电子设计,NCE01P18D 是一个不错的选择。我们强烈推荐将其用于电力管理和控制系统中,以实现更优的系统性能。

NCE01P18D-VB参数

参数
FET类型 1个P沟道
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 100V
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 50mΩ@10V,60mΩ@4.5V
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 40A
通道数量 -
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

NCE01P18D-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NCE01P18D-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NCE01P18D-VB NCE01P18D-VB数据手册

NCE01P18D-VB封装设计

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