处理中...

首页  >  产品百科  >  JCS8N60CB-O-C-N-B-VB

JCS8N60CB-O-C-N-B-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,600V,8A,RDS(ON),780mΩ@10V,1070mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO220 适用于电源管理模块,如开关电源、电池充放电管理系统等,提供稳定、高效的电力控制和保护
供应商型号: JCS8N60CB-O-C-N-B-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) JCS8N60CB-O-C-N-B-VB

JCS8N60CB-O-C-N-B-VB概述

    KHB5D0N50P2SK3305-VB N-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    KHB5D0N50P2SK3305-VB 是一款高性能的 N-Channel MOSFET(场效应晶体管),适用于多种电源管理和转换应用。该 MOSFET 具备低栅极电荷、改进的栅极耐受性、雪崩耐受性和动态 dV/dt 耐受性等优势。这些特点使其在开关模式电源供应系统(SMPS)、不间断电源(UPS)以及高速功率开关等领域有着广泛的应用。

    技术参数


    - 主要参数:
    - 栅源电压 \( V{GS} \): ±30 V
    - 漏源电压 \( V{DS} \): 600 V
    - 零门限电压 \( V{GS(th)} \): 2.0 - 4.0 V
    - 栅源漏电流 \( I{DSS} \): 25 μA (最大)
    - 栅源漏电压 \( V{DS} \): 600 V (最大)
    - 静态特性:
    - 通态电阻 \( R{DS(on)} \): 0.780 Ω @ \( V{GS} \)=10 V, \( I{D} \)=5.5 A
    - 输入电容 \( C{iss} \): 1400 pF
    - 输出电容 \( C{oss} \): 180 pF
    - 反向转移电容 \( C{rss} \): 7.1 pF
    - 动态特性:
    - 最大重复雪崩能量 \( E{AS} \): 290 mJ
    - 最大单脉冲雪崩能量 \( E{AR} \): 17 mJ
    - 总栅极电荷 \( Qg \): 49 nC
    - 栅源电荷 \( Q{gs} \): 13 nC
    - 栅极峰值电流 \( I{GSS} \): ±100 nA

    产品特点和优势


    KHB5D0N50P2SK3305-VB 的关键优势在于其低栅极电荷和增强的耐受性。这些特点使得驱动要求简单,降低了系统的复杂度和成本。此外,改进的耐受性使其在恶劣的工作环境下仍能稳定运行。因此,在各种电力转换和电源管理应用中,它表现出了卓越的可靠性和耐用性。

    应用案例和使用建议


    该 MOSFET 广泛应用于各种电源管理系统,如开关模式电源(SMPS)、不间断电源(UPS)等。根据其高耐受性和低栅极电荷特性,它特别适合于需要高效转换的高电流应用场合。例如,在高频开关应用中,其低栅极电荷有助于减少开关损耗,从而提高整体效率。
    使用建议:
    - 在设计时要确保电路布局合理,减少寄生电感的影响,以提高系统的整体性能。
    - 选择合适的散热方案,确保 MOSFET 工作温度不超出其绝对最大额定值。

    兼容性和支持


    该产品与标准的 TO-220AB 封装兼容,便于安装和集成。制造商提供了详尽的技术文档和支持服务,帮助客户解决在应用过程中遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 开关频率过高导致过热。
    - 解决方案: 使用适当的散热措施,如增加散热片或采用水冷系统。

    - 问题: 开启或关闭时出现意外的电压波动。
    - 解决方案: 确保栅极驱动电路设计合理,减少寄生电感影响。

    总结和推荐


    KHB5D0N50P2SK3305-VB MOSFET 具有卓越的性能和广泛的适用性,特别是在高可靠性要求的应用环境中表现出色。其低栅极电荷和改进的耐受性使其成为电源管理领域的理想选择。推荐在设计需要高效、可靠功率转换的系统时使用这款产品。
    总之,KHB5D0N50P2SK3305-VB 是一款性能卓越、易于集成的 MOSFET,特别适用于多种电力管理应用。

JCS8N60CB-O-C-N-B-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 8A
Vds-漏源极击穿电压 600V
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 780mΩ@10V,1070mΩ@4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
配置 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

JCS8N60CB-O-C-N-B-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

JCS8N60CB-O-C-N-B-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 JCS8N60CB-O-C-N-B-VB JCS8N60CB-O-C-N-B-VB数据手册

JCS8N60CB-O-C-N-B-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.1091
100+ ¥ 2.8788
500+ ¥ 2.7636
1000+ ¥ 2.6485
库存: 400000
起订量: 10 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 31.09
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336