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10N65ZL-TF1-T-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 单N沟道MOSFET,采用Plannar技术,具有高性能和可靠性。该产品具有650V的漏极-源极电压(VDS)、30V的栅极-源极电压(VGS)、以及3.5V的阈值电压(Vth)。其封装为TO220F,适用于各种应用场景。
供应商型号: 10N65ZL-TF1-T-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 10N65ZL-TF1-T-VB

10N65ZL-TF1-T-VB概述

    10N65ZL-TF1-T-VB MOSFET 技术手册

    产品简介


    10N65ZL-TF1-T-VB 是一种N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由台湾VBsemi公司制造。该MOSFET 主要用于服务器和电信电源、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)以及照明系统等领域。它具备高效率和低损耗的特点,适用于多种高要求的工业应用。

    技术参数


    - 基本参数
    - 漏源击穿电压 \( V{DS} \): 最大值 650V
    - 门限电压 \( V{GS(th)} \): 2-4V
    - 连续漏极电流 \( ID \): 最大值 4A (Tc = 100°C)
    - 极限脉冲漏极电流 \( I{DM} \): 20A
    - 热阻 \( R{thJA} \): 63°C/W
    - 电气特性
    - 输入电容 \( C{iss} \): 最大值取决于测试条件
    - 输出电容 \( C{oss} \): 最大值取决于测试条件
    - 逆向传输电容 \( C{rss} \): 最大值取决于测试条件
    - 总栅极电荷 \( Qg \): 最大值 24nC
    - 门源电荷 \( Q{gs} \): 最大值 5nC
    - 门源电荷 \( Q{gd} \): 最大值 10nC
    - 热特性
    - 最大单次脉冲雪崩能量 \( E{AS} \): 97mJ
    - 额定最大功率耗散 \( PD \): 2W

    产品特点和优势


    10N65ZL-TF1-T-VB 具备以下几个显著特点:
    - 低栅极电荷 \( Qg \):有助于降低开关损耗。
    - 低输入电容 \( C{iss} \):减少寄生效应,提升整体效率。
    - 减少的开关损耗和导通损耗:通过优化栅极电荷和输入电容实现。
    - 超低雪崩耐受能力:提供稳定的电力系统。

    应用案例和使用建议


    10N65ZL-TF1-T-VB 在以下应用中表现出色:
    - 服务器和电信电源:适合高功率密度的直流转换。
    - 开关模式电源:在高频率开关应用中提高能效。
    - 高密度照明:例如 HID 和荧光灯,提供高效且可靠的驱动解决方案。
    使用建议:
    - 确保在适当的散热条件下使用,避免过热。
    - 使用低寄生电感和地平面布局,以减少信号干扰。

    兼容性和支持


    10N65ZL-TF1-T-VB 兼容多种标准和接口,易于集成到现有系统中。台湾VBsemi公司提供全方位的技术支持和客户服务,包括产品安装指南、故障排除帮助及维修服务。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 高温环境下运行不稳定 | 确保良好散热,必要时加装散热片。 |
    | 开关损耗过高 | 优化电路设计,选择合适的驱动电阻。 |
    | 雪崩保护失效 | 检查栅极驱动电压,确保符合规范。 |

    总结和推荐


    综上所述,10N65ZL-TF1-T-VB MOSFET 是一款高性能、多功能的电子元件,适用于多种高要求的电力转换和控制场合。其优秀的低损耗特性和可靠性使其成为现代工业应用的理想选择。强烈推荐在需要高效率和可靠性的应用中使用此产品。如需更多信息和技术支持,请联系台湾VBsemi的服务热线:400-655-8788。

10N65ZL-TF1-T-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 10A
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.36V
通道数量 -
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 830mΩ@ 10V
Vds-漏源极击穿电压 650V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

10N65ZL-TF1-T-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

10N65ZL-TF1-T-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 10N65ZL-TF1-T-VB 10N65ZL-TF1-T-VB数据手册

10N65ZL-TF1-T-VB封装设计

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