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2SK2925-Z-E1-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,18A,RDS(ON),73mΩ@10V,85mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO252\n用于设计LED照明驱动器模块,用于室内和室外照明系统,提供稳定的电流输出和高效的能量转换,满足建筑照明、道路照明和景观照明等领域的需求。
供应商型号: 2SK2925-Z-E1-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 2SK2925-Z-E1-VB

2SK2925-Z-E1-VB概述

    N-Channel 60V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    N-Channel 60V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管) 是一种高效的电子元器件,广泛应用于直流到直流转换器、直流到交流逆变器及电机驱动系统中。这类器件采用TrenchFET® Power MOSFET技术制造,具有高可靠性及低导通电阻的特点。

    2. 技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | 60 V |
    | 栅极阈值电压 | VGS(th) | 1.0 | 3.0 V |
    | 零栅压漏电流 | IDSS | 1 | 50 | 250 | µA |
    | 导通漏电流 | ID(on) 20 | A |
    | 导通电阻 | RDS(on) | 0.073 0.10 | Ω |
    | 输入电容 | Ciss 660 pF |
    | 输出电容 | Coss 85 pF |
    | 反向传输电容 | Crss 40 pF |
    | 总栅极电荷 | Qg | 19.8 30 | nC |
    | 栅极电阻 | Rg | 0.4 4 | Ω |

    3. 产品特点和优势


    - TrenchFET® Power MOSFET技术:采用先进的沟槽技术,提高器件的耐压能力,减少导通损耗。
    - 100% Rg和UIS测试:确保每个产品的可靠性和一致性。
    - 宽温度范围:-55°C至150°C的工作温度范围使其适用于多种恶劣环境。

    4. 应用案例和使用建议


    - 直流到直流转换器:适用于电源管理应用,能有效降低功耗。
    - 直流到交流逆变器:在新能源汽车等领域中提供稳定的电力输出。
    - 电机驱动系统:实现精准控制,提升系统的效率。
    使用建议:
    - 确保栅极电压在规定范围内,避免因过高的电压损坏器件。
    - 在高频开关电路中,选择合适的栅极电阻,以减少开关损耗。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:该器件与大多数标准电路板和焊接工艺兼容。
    - 支持:VBsemi公司提供全面的技术支持和售后服务,包括应用指导和技术文档。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:栅极漏电流过大
    - 解决方案:检查电路连接,确保栅极电阻和电容配置正确。

    - 问题:漏电流过高
    - 解决方案:确认工作环境温度,适当降低温度以改善散热。

    7. 总结和推荐


    总体而言,N-Channel 60V MOSFET是一款高性能、可靠的电子元器件,特别适合于需要高效、紧凑解决方案的应用场合。鉴于其卓越的电气特性和广泛的适用范围,强烈推荐在相关项目中使用。

2SK2925-Z-E1-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
Rds(On)-漏源导通电阻 73mΩ@10V,85mΩ@4.5V
栅极电荷 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 18A
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

2SK2925-Z-E1-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

2SK2925-Z-E1-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 2SK2925-Z-E1-VB 2SK2925-Z-E1-VB数据手册

2SK2925-Z-E1-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.36
100+ ¥ 1.2593
500+ ¥ 1.2089
2500+ ¥ 1.1586
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