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2SK3309-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单N沟道MOSFET,具有650V的漏极-源极电压(VDS),30V的门-源电压(VGS),以及3.5V的阈值电压(Vth)。采用平面工艺制造,具有TO220F封装,适用于各种应用场景
供应商型号: 2SK3309-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 2SK3309-VB

2SK3309-VB概述

    2SK3309-VB N-Channel 650V Power MOSFET

    产品简介


    2SK3309-VB是一款适用于服务器、电信电源、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)电源及照明系统的N沟道650V高压MOSFET。其低导通电阻(RDS(on))和高效率使其在各种电力转换应用中表现出色。

    技术参数


    以下是2SK3309-VB的主要技术参数:
    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 (VDS) | 650 | V |
    | 漏源导通电阻 (RDS(on)) | 0.24 | Ω (VGS=10V) |
    | 最大连续漏电流 (ID) | 12 | A (TJ=25°C)|
    | 最大脉冲漏电流 (IDM) | 45 | A |
    | 总栅极电荷 (Qg) | 43 | nC |
    | 输入电容 (Ciss) | - | pF |
    | 开启延迟时间 (td(on)) | 13~25 | ns |
    | 关断延迟时间 (td(off)) | 81~90 | ns |
    | 集电极—发射极间反向恢复时间 (trr)| 345 | ns |

    产品特点和优势


    - 低FOM (Ron x Qg):具有较低的品质因数(Ron x Qg),有助于减少功耗。
    - 低输入电容 (Ciss):输入电容低,能够降低驱动损耗。
    - 减少开关损耗和导通损耗:通过减少开关和导通过程中的能量损耗,提高整体效率。
    - 超低栅极电荷 (Qg):这可以减少驱动所需的功率。
    - 雪崩耐受能力 (UIS):该MOSFET具有卓越的雪崩耐受能力,增强了可靠性。

    应用案例和使用建议


    2SK3309-VB主要应用于:
    - 服务器和电信电源:这些应用通常需要高性能、高可靠性的组件。
    - SMPS和PFC电源:用于改善电源质量和效率。
    - 工业照明:特别是高亮度放电灯(HID)和荧光灯电路。
    使用建议:
    - 在高频应用中,应注意选择合适的栅极电阻(Rg)以控制开关时间和减小开关损耗。
    - 在设计散热系统时,考虑其热阻特性(如RthJA和RthJC),确保良好的热管理。

    兼容性和支持


    2SK3309-VB具有广泛的适用范围,并且与大多数现有系统兼容。制造商提供全面的技术支持和咨询服务,包括应用指导和技术培训。

    常见问题与解决方案


    1. Q: 高温环境下如何确保MOSFET的稳定工作?
    A: 选用适当的散热设计,合理规划PCB布局,确保器件处于安全的工作温度范围内。

    2. Q: 如何避免驱动信号不稳定造成的误操作?
    A: 使用稳定的驱动电路,选择合适的栅极电阻(Rg)以控制开关速度和降低噪音干扰。

    总结和推荐


    2SK3309-VB凭借其高效、低损耗的特点,在众多应用中表现出色。其优越的性能使其成为高可靠性电力转换应用的理想选择。总体而言,强烈推荐这款产品,特别是在需要高性能和高可靠性的场合。

2SK3309-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 650V
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 680mΩ@ 10V
Id-连续漏极电流 12A
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

2SK3309-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

2SK3309-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 2SK3309-VB 2SK3309-VB数据手册

2SK3309-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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