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4860NG-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单N沟道场效应管,具有20V的标称漏极-源极电压(VDS),±20V的标称栅极-源极电压(VGS),以及0.5~1.5V的阈值电压(Vth)。在VGS=2.5V时,其导通电阻(RDS(on))为6mΩ,在VGS=4.5V时为5mΩ。该器件最大漏极电流(ID)可达100A,采用Trench技术(沟槽结构),封装为TO252。该器件适用于需要高功率输出和稳定性能的电源管理和功率控制系统。
供应商型号: 4860NG-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 4860NG-VB

4860NG-VB概述

    电子元器件技术手册 - N-Channel 20-V MOSFET

    产品简介


    本产品是一款采用TrenchFET技术的N沟道功率MOSFET,型号为4860NG。该MOSFET主要用于20V以下的应用场景,具备优异的性能和可靠性。它广泛应用于开关电源、电机驱动、照明系统等领域。

    技术参数


    - 基本参数
    - 最大漏源电压 \( V{DS} \): 20V
    - 最大栅源电压 \( V{GS} \): ±15V
    - 最大连续漏电流 \( ID \): 100A (25°C)
    - 最大脉冲漏电流 \( I{DM} \): 200A
    - 最高工作温度 \( TJ \): 175°C
    - 性能参数
    - 漏源导通电阻 \( r{DS(on)} \): 0.0045Ω @ \( V{GS} = 4.5V \), 0.006Ω @ \( V{GS} = 2.5V \)
    - 静态漏源击穿电压 \( V(BR)DSS \): 20V
    - 门阈电压 \( V{GS(th)} \): 0.5V
    - 零门电压漏电流 \( I{DSS} \): 1μA @ \( TJ = 125°C \)
    - 热阻参数
    - 最大结壳热阻 \( R{thJC} \): 1.75°C/W
    - 最大结到环境热阻 \( R{thJA} \): 40°C/W

    产品特点和优势


    - 高可靠性:100%门电阻测试,确保产品在制造过程中的可靠性。
    - 宽工作温度范围:最高工作温度可达175°C,适合极端环境下的应用。
    - 低导通电阻:漏源导通电阻仅为0.0045Ω(\( V{GS} = 4.5V \)),提供高效能的能量转换。
    - 高电流能力:最大连续漏电流高达100A,适用于高电流需求的应用场景。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:该MOSFET广泛用于开关电源的设计,尤其适用于需要高效率能量转换的场合。
    - 使用建议:在设计电路时,应确保栅极驱动电压足够高以确保低导通电阻。对于高功耗的应用,应考虑增加散热片以提升热管理效果。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该MOSFET采用标准的TO-252封装,易于与其他电子元器件集成。
    - 支持:制造商提供详尽的技术支持文档和技术咨询服务,帮助客户解决在应用过程中遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:在高温环境下使用时,MOSFET温度过高。
    - 解决方案:建议增加散热措施,如安装散热片或风扇,确保工作温度在安全范围内。

    - 问题2:漏源电压超过额定值。
    - 解决方案:检查电路设计,确保漏源电压不超过20V。必要时可以添加过压保护电路。

    总结和推荐


    综上所述,4860NG MOSFET凭借其出色的性能、可靠性和广泛的适用范围,是适用于各种高要求应用场景的理想选择。其低导通电阻和高电流能力使其成为开关电源和电机驱动等领域的首选器件。建议在具体应用中根据实际需求进行详细评估和测试,以确保最佳效果。
    如有任何疑问或需要进一步技术支持,请联系制造商的服务热线:400-655-8788。

4860NG-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 3mΩ@4.5V,3.5mΩ@2.5V
Vgs-栅源极电压 15V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 870mV
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 20V
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 145A
栅极电荷 -
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

4860NG-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

4860NG-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 4860NG-VB 4860NG-VB数据手册

4860NG-VB封装设计

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