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FDP3651U-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,100V,100A,RDS(ON),9mΩ@10V,20mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.2Vth(V) 封装:TO220适用于需要高电压耐受能力、低导通电阻和稳定性的领域和模块,如电源模块、电动汽车电机控制、工业驱动器和光伏逆变器等。
供应商型号: FDP3651U-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FDP3651U-VB

FDP3651U-VB概述

    FDP3651U-VB MOSFET 技术手册概述

    1. 产品简介


    FDP3651U-VB是一款由VBsemi公司生产的N沟道100伏特(D-S)175°C的MOSFET。它采用了TrenchFET®功率MOSFET技术,能够在高达175°C的结温条件下稳定运行。此产品符合RoHS指令2002/95/EC,确保其环保性能。

    2. 技术参数


    - 电压参数:漏源击穿电压VDS为100V。
    - 电流参数:在25°C下,连续漏极电流ID最大可达100A;在125°C下,最大脉冲漏极电流IDM为300A。
    - 电阻参数:在VGS=10V时,导通电阻RDS(on)为0.009Ω;在VGS=4.5V时,RDS(on)为0.020Ω。
    - 热特性:在TO-220AB封装下,最大功耗PD为250W;热阻RthJA为62.5°C/W,RthJC为0.6°C/W。

    3. 产品特点和优势


    - 高耐温性:最高结温可达175°C,适合高温环境。
    - 低导通电阻:在常用电压下,RDS(on)较低,降低了导通损耗。
    - 高可靠性:采用TrenchFET®技术,保证了长期可靠运行。
    - 符合RoHS标准:环保无铅,满足欧盟标准。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:广泛应用于工业控制、电源管理、汽车电子等领域。
    - 使用建议:在设计电路时,应注意散热设计以避免过热损坏。建议使用大尺寸散热片,并确保良好的空气流通。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:此产品与标准TO-220AB封装兼容,便于集成到现有系统中。
    - 支持:VBsemi公司提供全面的技术支持和售后服务,帮助客户解决使用过程中遇到的各种问题。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q:如何正确安装该MOSFET?
    - A:请确保按照规范连接各引脚,并采用合适的散热措施。具体安装步骤请参考手册中详细说明。

    - Q:如何提高产品的使用寿命?
    - A:注意散热设计,避免长时间工作在额定功率上限,定期进行设备检查与维护。

    7. 总结和推荐


    综合评估:FDP3651U-VB MOSFET以其出色的性能、稳定的温度适应能力和良好的可靠性,成为众多应用领域的理想选择。
    推荐使用:鉴于其优越的性能和适用范围广的特点,强烈推荐在需要高性能、高可靠性的应用场景中使用该产品。

FDP3651U-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 9mΩ@10V,20mΩ@4.5V
配置 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 100A
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.2V
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 100V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

FDP3651U-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FDP3651U-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 FDP3651U-VB FDP3651U-VB数据手册

FDP3651U-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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500+ ¥ 3.4551
1000+ ¥ 3.3111
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