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K80D08K3-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,80V,100A,RDS(ON),7mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.7Vth(V) 封装:TO220\n适用于需要高电压耐受能力、大电流特性和稳定性的领域和模块,如电源模块、电机驱动、光伏逆变器和电动汽车充电桩等。
供应商型号: K80D08K3-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K80D08K3-VB

K80D08K3-VB概述


    产品简介


    N-Channel 80 V (D-S) MOSFET是一种专为高可靠性应用设计的电子元器件。这款MOSFET属于TrenchFET®功率MOSFET系列,具有高电流处理能力和良好的热稳定性。它主要应用于初级侧开关、同步整流、直流/交流逆变器以及LED背光等领域。其坚固的设计使得它能够承受严苛的工作条件,并通过了全面的测试以确保产品质量。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏极-源极电压 | VDS | 80 | - | - | V |
    | 栅极-源极电压 | VGS | ±20 | - | ±20 | V |
    | 持续漏极电流(TJ=150℃) | ID | - | 28.6 | 85 | A |
    | 脉冲漏极电流(t=100 μs) | IDM | - | 350 | - | A |
    | 最大功率耗散(TC=25℃) | PD | - | 180 | - | W |
    | 热阻-结到环境最大值 | RthJA | 15 | - | 18 | °C/W |
    | 热阻-结到外壳最大值 | RthJC | 0.85 | - | 1.1 | °C/W |

    产品特点和优势


    N-Channel 80 V (D-S) MOSFET的主要优势在于其坚固耐用的设计和广泛的应用范围。TrenchFET®技术使其具有低导通电阻(RDS(on)),适用于多种高性能应用。此外,该器件经过严格的测试验证,确保其可靠性和长期稳定性。其额定温度范围广,可适应从-55°C到150°C的环境,适用于严苛的工业和汽车应用。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. 初级侧开关:用于电源转换器的初级侧,如AC/DC转换器。
    2. 同步整流:用于提高效率,特别是在高频开关应用中。
    3. LED背光:适用于各种照明设备,提供稳定的电流控制。
    使用建议
    - 在使用时应注意散热设计,以避免过热导致的性能下降。
    - 在极端环境条件下使用时,应选择合适尺寸的散热器,确保MOSFET在安全工作区域内运行。

    兼容性和支持


    该MOSFET支持标准TO-220AB封装,易于安装和集成。制造商提供全面的技术支持和详细的使用说明,帮助用户实现最佳性能。同时,该产品符合RoHS和无卤素标准,适合环保要求高的应用场合。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 温度过高 | 采用更高效的散热设计,增加散热片。 |
    | 工作电流超过额定值 | 降低工作电流,检查电路设计。 |
    | 开关损耗高 | 优化栅极驱动电路,减少开关时间。 |

    总结和推荐


    N-Channel 80 V (D-S) MOSFET凭借其卓越的性能、可靠的使用寿命以及广泛的适用范围,是一款理想的功率管理元件。其优秀的热稳定性和低导通电阻使其成为电源转换、同步整流和LED背光应用的理想选择。强烈推荐此产品给需要高效能、高可靠性的客户。

K80D08K3-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 80V
Id-连续漏极电流 100A
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.7V
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 7mΩ@10V,9mΩ@4.5V
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K80D08K3-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K80D08K3-VB数据手册

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K80D08K3-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 4.2759
100+ ¥ 3.9592
500+ ¥ 3.8008
1000+ ¥ 3.6425
库存: 400000
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型号 价格(含增值税)
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