处理中...

首页  >  产品百科  >  XP162A11C0PR-VB

XP162A11C0PR-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-30V,-5.8A,RDS(ON),50mΩ@10V,56mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-0.6~-2Vth(V) 封装:SOT89-3
供应商型号: XP162A11C0PR-VB SOT89-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) XP162A11C0PR-VB

XP162A11C0PR-VB概述

    XP162A11C0PR P-Channel MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    XP162A11C0PR 是一款P沟道(P-Channel)MOSFET,具有极低的导通电阻和高电流承载能力。这款电子元器件广泛应用于负载开关(Load Switch)和电池切换(Battery Switch)等领域,适用于各种高效率电路设计。

    技术参数


    - 电压规格:最大漏源电压(VDS)为30V。
    - 连续电流:最高可达7.6A(在25°C时),脉冲电流可达35A。
    - 温度范围:工作结温和存储温度范围为-55°C至150°C。
    - 热阻:结到环境的最大热阻为50°C/W,结到脚的最大热阻为30°C/W。
    - 导通电阻(RDS(on)):在VGS = -10V时,RDS(on) 为0.050Ω;在VGS = -4.5V时,RDS(on) 为0.056Ω。
    - 栅极电荷:总栅极电荷(Qg)在VGS = -10V时为38nC,在VGS = -4.5V时为20nC。
    - 安全操作区域:最大功率耗散在25°C时为6.5W。

    产品特点和优势


    1. Halogen-Free:符合IEC 61249-2-21标准,环保无卤素。
    2. 高可靠性:采用TrenchFET®技术,100% Rg测试保证。
    3. 低导通电阻:在不同电压下保持低导通电阻,提高系统效率。
    4. 高电流承载能力:能够承受高达35A的脉冲电流。
    5. 宽工作温度范围:适应极端环境,工作稳定。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 负载开关:用于控制大电流的设备开关,如电动工具、汽车电子等。
    - 电池切换:在需要高效率转换电池供电的应用中,如无人机、便携式电源等。
    使用建议:
    - 在使用XP162A11C0PR作为负载开关时,需注意其最大电流限制,避免过载。
    - 配合散热片使用可以有效降低热阻,提高稳定性。
    - 注意栅极驱动电路的设计,以确保合适的栅极电荷,优化开关速度和功耗。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该产品采用SOT89封装,易于与其他标准电路板设计集成。
    - 支持和服务:由VBsemi公司提供技术支持,可联系其服务热线400-655-8788获取更多帮助。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:过载电流导致器件过热。
    - 解决方案:检查负载电流,确保不超过器件的额定电流。使用散热片或者增加散热措施来减少器件的温升。

    2. 问题:开关速度不够快。
    - 解决方案:检查栅极驱动电压和电流,确保有足够的栅极电荷驱动MOSFET快速开关。
    3. 问题:长时间工作后出现异常。
    - 解决方案:定期检查工作环境温度,确保在规定范围内工作。如发现过热现象,应及时调整散热措施或减少负载电流。

    总结和推荐


    XP162A11C0PR是一款高性能的P沟道MOSFET,适用于多种高效率电路设计,如负载开关和电池切换。其具备出色的电气特性和可靠的工作性能,特别是在恶劣环境下表现出色。对于追求高效率和稳定性的工程师和设计师来说,这款产品无疑是一个值得推荐的选择。强烈建议在相关应用中使用该产品,并按照上述建议进行适当的设计和使用。

XP162A11C0PR-VB参数

参数
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
FET类型 1个P沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 50mΩ@10V,56mΩ@4.5V
最大功率耗散 -
通道数量 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 5.8A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -600mV~-2V
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

XP162A11C0PR-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

XP162A11C0PR-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 XP162A11C0PR-VB XP162A11C0PR-VB数据手册

XP162A11C0PR-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
35+ ¥ 0.8746
100+ ¥ 0.8098
500+ ¥ 0.7773
1000+ ¥ 0.745
库存: 400000
起订量: 35 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:35
合计: ¥ 30.61
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
05N03LB-VB TO263 ¥ 2.9159
07N60-VB ¥ 3.1091
07N60S5-VB TO252 ¥ 3.887
07N70CF-VB ¥ 3.498
093N06N-VB TO220 ¥ 2.9159
100N08N-VB TO262 ¥ 4.8594
10N60KL-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N60L-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
12N65L-ML TO220F1 ¥ 0