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FQD8N60CF-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 一款单极性 N 型功率场效应晶体管(MOSFET),额定电压高达650V,适用于高压应用场景。门源电压范围广泛(±30V),具有良好的电压容忍性。阈值电压较低(3.5V),有助于减少功率损耗。在VGS=10V时的漏极-源极电阻为700m?,提供可靠的导通特性。漏极电流为7A,适用于中等功率需求。采用SJ_Multi-EPI技术,具有优异的热稳定性和可靠性。封装为TO252,易于安装和散热。
供应商型号: FQD8N60CF-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FQD8N60CF-VB

FQD8N60CF-VB概述

    FQD8N60CF 电子元器件产品技术手册

    1. 产品简介


    FQD8N60CF 是一款由VBsemi公司生产的N-Channel Power MOSFET(功率金属氧化物半导体场效应晶体管),具有极低的导通电阻(Ron)和门极电荷(Qg),适用于各种高效率电力转换应用。该产品的主要功能包括降低开关损耗和传导损耗,提高整体系统的效率和可靠性。广泛应用于服务器和电信电源系统、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)、高强度放电灯(HID)照明及荧光灯镇流器等领域。

    2. 技术参数


    - 基本规格
    - 漏源电压 (VDS):最大值为650V。
    - 栅源阈值电压 (VGS(th)): 范围在2V至4V之间。
    - 栅极电荷 (Qg): 最大值为32nC。
    - 门限电流 (ID):在TJ=25°C时,最大连续漏极电流为8A;在TJ=150°C时,最大连续漏极电流为3A。

    - 绝对最大额定值
    - 栅源电压 (VGS):±30V。
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):97mJ。
    - 最大功率耗散 (PD):180W。
    - 工作温度范围 (TJ, Tstg):-55°C 至 +150°C。

    - 热阻抗
    - 结到环境的最大热阻抗 (RthJA):63°C/W。
    - 结到外壳的最大热阻抗 (RthJC):0.6°C/W。

    3. 产品特点和优势


    - 低RDS(on) 和低Qg:这些特性显著降低了开关损耗和传导损耗,有助于提高能效。
    - 超低栅极电荷:减少了驱动电路的功耗。
    - 宽温度范围:适应多种恶劣环境条件下的应用。
    - 优异的雪崩耐受性:保证了更高的可靠性。

    4. 应用案例和使用建议


    - 服务器和电信电源系统:利用其高效能,确保电源系统的可靠运行。
    - 开关模式电源:适合在高频切换应用中,以降低开关损耗。
    - 荧光灯镇流器:具备快速响应和高可靠性,适合要求高的照明应用。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:FQD8N60CF采用标准封装(如TO-220AB),易于集成到现有的电路设计中,兼容大多数标准电源设计。
    - 支持和服务:VBsemi提供详尽的技术文档和支持服务,用户可以随时获取相关的技术支持和维修服务。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q: 在高温环境下如何保持稳定性能?
    - A: 通过良好的散热设计和使用合适的封装来保证热稳定性。
    - Q: 如何选择合适的栅极电阻?
    - A: 根据具体的应用场景和需要的驱动速度选择适当的栅极电阻值。

    7. 总结和推荐


    FQD8N60CF是一款高性能、高可靠性的N-Channel Power MOSFET,具备优异的电学特性和广泛的应用前景。对于追求高效率、低损耗的电力转换应用,这款产品无疑是理想的选择。因此,我们强烈推荐使用该产品。如果你正在寻找一款高性能、可靠的MOSFET,那么FQD8N60CF将是你的不二之选。
    更多详细信息和技术支持,请联系VBsemi公司的客户服务团队,电话:400-655-8788。

FQD8N60CF-VB参数

参数
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 700mΩ@ 10V
Vgs-栅源极电压 30V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 650V
通道数量 -
Id-连续漏极电流 7A
最大功率耗散 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

FQD8N60CF-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FQD8N60CF-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 FQD8N60CF-VB FQD8N60CF-VB数据手册

FQD8N60CF-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 3.5991
500+ ¥ 3.3111
2500+ ¥ 3.1672
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