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K1625-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 一款单极性 N 型功率场效应晶体管(MOSFET),额定电压高达650V,适用于高压应用场景。门源电压范围广泛(±30V),具有良好的电压容忍性。阈值电压较低(3.5V),有助于减少功率损耗。在VGS=10V时的漏极-源极电阻为700m?,提供可靠的导通特性。漏极电流为7A,适用于中等功率需求。采用SJ_Multi-EPI技术,具有优异的热稳定性和可靠性。封装为TO252,易于安装和散热。
供应商型号: K1625-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K1625-VB

K1625-VB概述

    # N-Channel MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    N-Channel MOSFET(4VQFS+VODUJPO)是一种低阻抗功率场效应晶体管,广泛应用于服务器和电信电源、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)以及照明系统中。它特别适用于高能效和高频转换需求的应用场合。

    技术参数


    以下是根据技术手册中提取的关键技术参数:
    绝对最大额定值
    - 漏源电压 (VDS): 650 V
    - 栅源电压 (VGS): ± 30 V
    - 连续漏极电流 (TJ = 150 °C): 28.2 A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 97 mJ
    - 最大功率耗散 (PD): 150 W
    额定条件下的电气特性
    - 最大漏源导通电阻 (RDS(on)): 0.7 Ω (VGS = 10 V)
    - 栅极电荷 (Qg): 36 nC (VGS = 10 V)
    - 输入电容 (Ciss): 147 pF (VGS = 0 V, VDS = 100 V)
    - 反向传输电容 (Crss): -
    - 输出电容 (Coss): -
    热阻率
    - 最大结到环境热阻 (RthJA): 63 °C/W
    - 最大结到外壳(漏极)热阻 (RthJC): 0.6 °C/W

    产品特点和优势


    N-Channel MOSFET 的显著特点是其低图性能指数(Ron x Qg)、低输入电容(Ciss)、减少的开关和导通损耗、超低栅极电荷(Qg)和雪崩能量额定(UIS)。这些特性使其在需要高效率和高频工作的应用中表现出色,从而在市场中具备显著的竞争优势。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 服务器和电信电源: 用于高压环境,需要高效能和低功耗。
    - 开关模式电源 (SMPS): 高频转换,减少能量损耗。
    - 功率因数校正电源 (PFC): 改善功率因数,提高能效。
    - 高能效照明: 如高能效 HID 和荧光灯,需快速开关和低损耗。
    使用建议
    - 在设计电源系统时,确保选择合适的栅极驱动器以匹配 MOSFET 的栅极电荷和开关速度。
    - 注意散热设计,尤其是高功率应用中,以防止温度过高导致的可靠性问题。
    - 对于高频应用,考虑寄生电感和寄生电容的影响,尽量减少外部电路的寄生效应。

    兼容性和支持


    该产品与多种标准封装(如 TO-220AB、TO-252)兼容,便于集成到现有系统中。厂商提供详尽的技术支持和维护文档,帮助用户进行正确安装和调试。

    常见问题与解决方案


    常见问题
    1. 热稳定性问题:
    - 解决方法: 通过良好的散热设计(如使用散热片和增加通风),降低工作温度,确保在安全范围内运行。

    2. 开关损耗过高:
    - 解决方法: 优化栅极驱动电路,减少开关时间,选择适合应用的驱动频率。
    3. 栅极电压不稳定:
    - 解决方法: 使用稳定可靠的栅极驱动器,并保持良好的电气连接。

    总结和推荐


    优点

    总结


    - 低阻抗,高效能,适合高频转换应用。
    - 低输入电容和栅极电荷,减少开关损耗。
    - 高雪崩能量额定,适用于严苛的工作环境。
    推荐意见
    N-Channel MOSFET 作为一款高性能、多功能的电子元件,在众多应用场合中展现出卓越的性能和可靠性。无论是用于电源管理还是照明系统,都值得推荐给需要高能效和高可靠性的客户。

K1625-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 650V
Id-连续漏极电流 7A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 30V
配置 -
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 700mΩ@ 10V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

K1625-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K1625-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K1625-VB K1625-VB数据手册

K1625-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.887
100+ ¥ 3.5991
500+ ¥ 3.3111
2500+ ¥ 3.1672
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