处理中...

首页  >  产品百科  >  K4058-ZK-VB

K4058-ZK-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,60A,RDS(ON),10mΩ@10V,11mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.6Vth(V) 封装:TO252\n该场效应管适用于需要高电流和低压降的应用场合,能够在高功率、高频率的电路中发挥优异性能。其沟槽型技术可以提高器件的性能和稳定性,适用于要求高效率和高稳定性的电子设备和系统。
供应商型号: K4058-ZK-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K4058-ZK-VB

K4058-ZK-VB概述


    产品简介


    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 是一种高性能的场效应晶体管,主要用于电源管理和转换应用。它采用了先进的 TrenchFET 技术,确保了低导通电阻和高效率。这些 MOSFET 广泛应用于服务器、直流/直流转换器等领域。

    技术参数


    - 基本规格
    - 最大漏源电压 \( V{DS} \): 30V
    - 漏极连续电流 \( ID \):
    - 25.8A(\( TA = 25^\circ \text{C} \))
    - 22A(\( TA = 70^\circ \text{C} \))
    - 脉冲漏极电流 \( I{DM} \): 250A
    - 单脉冲雪崩能量 \( E{AS} \): 94.8mJ
    - 正向二极管电流 \( IS \): 90A
    - 静态特性
    - 导通电阻 \( R{DS(on)} \):
    - 0.005Ω(\( V{GS} = 10\text{V} \))
    - 0.006Ω(\( V{GS} = 4.5\text{V} \))
    - 阈值电压 \( V{GS(th)} \): 1.0 ~ 2.5V
    - 零栅压漏电流 \( I{DSS} \): 1μA(\( V{DS} = 30\text{V} \))
    - 动态特性
    - 输入电容 \( C{iss} \): 525pF
    - 输出电容 \( C{oss} \): 270pF
    - 总栅极电荷 \( Qg \): 107nC
    - 上升时间 \( tr \): 11 ~ 17ns

    产品特点和优势


    这款 N-Channel 30-V MOSFET 采用了 TrenchFET 技术,确保了极低的导通电阻(\( R{DS(on)} \)),从而显著提升了能效。此外,它通过了 100% 的 Rg 和 UIS 测试,符合 RoHS 指令 2011/65/EU,具有极高的可靠性和环保特性。适用于各种严苛的应用环境,如 OR-ing、服务器、直流/直流转换器等,确保了高可靠性和稳定性。

    应用案例和使用建议


    这款 MOSFET 在多种应用中表现出色。例如,在服务器电源管理中,它可以有效地降低功耗并提高整体系统效率。建议在使用时注意散热设计,以避免因过热导致的性能下降。此外,在使用该器件时应确保良好的电路布局,以减少寄生电容和电感的影响。

    兼容性和支持


    该器件与大多数标准 PCB 设计兼容,易于集成到现有系统中。厂商提供详细的技术支持和维护文档,确保用户能够顺利部署和维护。如有疑问,可以联系官方技术支持获取帮助。

    常见问题与解决方案


    - 问题1: 过温保护
    - 解决方法: 确保良好的散热设计,如添加散热片或风扇。
    - 问题2: 噪声干扰
    - 解决方法: 优化电路布局,减少寄生电容和电感的影响。
    - 问题3: 导通电阻不稳定
    - 解决方法: 确保驱动电压满足器件要求,避免电压波动导致的不稳定。

    总结和推荐


    综上所述,这款 N-Channel 30-V MOSFET 是一款非常优秀的器件,具备低导通电阻、高可靠性等特点,适用于多种关键应用场合。考虑到其广泛的应用领域和优异的性能,强烈推荐使用此款器件。

K4058-ZK-VB参数

参数
最大功率耗散 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 30V
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 10mΩ@10V,11mΩ@4.5V
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.6V
Id-连续漏极电流 60A
栅极电荷 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

K4058-ZK-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K4058-ZK-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K4058-ZK-VB K4058-ZK-VB数据手册

K4058-ZK-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.3614
100+ ¥ 1.2606
500+ ¥ 1.2101
2500+ ¥ 1.1597
库存: 400000
起订量: 20 增量: 2500
交货地:
最小起订量为:20
合计: ¥ 27.22
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504