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F2N60-220-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 一款单N型功率MOSFET,具有高性能和可靠性。该产品适用于各种功率电子应用,提供可靠的电气特性和稳定的性能。 N沟道,650V,2A,RDS(ON),3120mΩ@10V,3900mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO220
供应商型号: F2N60-220-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) F2N60-220-VB

F2N60-220-VB概述

    F2N60-220-VB N-Channel MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    F2N60-220-VB 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要应用于电源转换、电机驱动和其他需要高效功率开关的场合。它的低栅极电荷和高可靠性使其在工业控制、家电设备以及新能源领域得到广泛应用。

    2. 技术参数


    以下是 F2N60-220-VB 的关键技术和性能参数:
    - 额定电压 (VDS): 650 V
    - 导通电阻 (RDS(on)): 4.0 Ω (在 VGS = 10 V 时)
    - 总栅极电荷 (Qg(Max)): 11 nC
    - 栅源电荷 (Qgs): 2.3 nC
    - 栅漏电荷 (Qgd): 5.2 nC
    - 连续漏电流 (ID): 1.28 A (在 100°C 时)
    - 最大功耗 (PD): 45 W (在 25°C 时)
    - 雪崩能量 (EAS): 165 mJ
    - 工作温度范围: -55°C 到 +150°C
    - 引脚焊接温度 (Tpeak): 300°C (峰值温度,持续时间 10 秒)

    3. 产品特点和优势


    - 低栅极电荷: F2N60-220-VB 具有低栅极电荷(Qg)特性,简化了驱动要求,减少了驱动电路的复杂度。
    - 高可靠性和鲁棒性: 改善了栅极、雪崩和动态 dV/dt 的鲁棒性,确保在恶劣环境下仍能稳定工作。
    - 全范围电气特性: 完全表征的电容和雪崩电压及电流特性,确保产品的一致性和稳定性。
    - 符合 RoHS 指令: 该产品符合 RoHS 指令,适合环保和绿色生产的要求。

    4. 应用案例和使用建议


    F2N60-220-VB 可以广泛应用于多种场景,例如:
    - 电源转换: 在高电压和高电流的应用中,如开关电源,F2N60-220-VB 能提供高效的能量转换。
    - 电机驱动: 用于电机驱动系统,实现高效节能的电机控制。
    - 新能源: 在光伏逆变器、风力发电系统中,提高系统的整体效率和可靠性。
    使用建议:
    - 散热管理: 由于 F2N60-220-VB 功耗较高,必须设计有效的散热方案以避免过热损坏。
    - 驱动电路: 确保驱动电路能够满足低栅极电荷的要求,减少驱动损耗。
    - 布局设计: 设计 PCB 布局时需考虑低寄生电感和接地平面的设计,以减小杂散效应的影响。

    5. 兼容性和支持


    F2N60-220-VB 采用 TO-220AB 封装,可与其他标准 TO-220AB 封装的器件兼容。制造商提供详细的安装扭矩指导(6-32 或 M3 螺丝,扭矩为 10 lbf·in 或 1.1 N·m),确保正确的机械连接。此外,厂商还提供全面的技术支持和售后维护服务。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题: 过载时出现过温保护
    - 解决方案: 请检查散热设计是否合理,必要时增加散热片或改进散热通道。
    - 问题: 开关频率过高导致器件发热严重
    - 解决方案: 减少开关频率,降低器件的工作应力,或者优化驱动电路以减少开关损耗。
    - 问题: 高压环境中器件损坏
    - 解决方案: 确认电路设计符合器件的最大电压限制,必要时增加缓冲电路或保护装置。

    7. 总结和推荐


    F2N60-220-VB 是一款性能优异的 N 沟道 MOSFET,具备高可靠性和低功耗的特点。它在多个应用领域表现出色,尤其适用于高电压和高电流环境。鉴于其出色的电气特性和市场上的竞争优势,我们强烈推荐将其作为高效电力转换和电机控制系统的首选器件。

F2N60-220-VB参数

参数
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 3120mΩ@10V,3900mΩ@4.5V
配置 -
Id-连续漏极电流 2A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

F2N60-220-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

F2N60-220-VB数据手册

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F2N60-220-VB封装设计

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