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JCS7N65FB-O-F-N-B-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO220F,具有高性能和可靠性,适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。650V,7A,RDS(ON),1100mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V)
供应商型号: JCS7N65FB-O-F-N-B-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) JCS7N65FB-O-F-N-B-VB

JCS7N65FB-O-F-N-B-VB概述

    # Power MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    产品类型及功能
    JCS7N65FB-O-F-N-B 是一款高性能 N 沟道增强型功率金属氧化物半导体场效应晶体管(Power MOSFET),具备卓越的开关性能和低功耗特性。它主要设计用于高效率的电源管理及工业控制等领域。
    应用领域
    该器件适用于多种电子系统,具体包括:
    - 服务器和通信设备的电源供应(如服务器电源、电信电源);
    - 开关模式电源(Switch Mode Power Supplies, SMPS);
    - 功率因数校正(Power Factor Correction, PFC)电路;
    - 工业照明设备(如高强度放电灯和荧光灯)。

    2. 技术参数


    以下是该产品的关键技术规格:
    | 参数类别 | 参数名称 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 静态特性 | 击穿电压 VDS | - | - | 650 | V |
    通态电阻 RDS(on)| - | 1.0 | - | Ω |
    栅极开启电压 VGS(th) | 2.5 | - | 5.0 | V |
    | 动态特性 | 总栅极电荷 Qg | - | 16 | - | nC |
    输入电容 Ciss | - | - | 1200 | pF |
    | 保护参数 | 单脉冲雪崩能量 EAS | - | - | 97 | mJ |
    | 绝对最大额定值 | 栅源电压 VGS | ±30 | - | - | V |
    环境条件
    - 最大工作温度范围:-55 至 +150℃
    - 封装热阻:63°C/W(结至环境)
    3. 产品特点与优势
    特点
    - 低导通损耗:RDS(on)值低,降低功率消耗。
    - 快速开关:具有超低栅极电荷 Qg 和快速响应能力。
    - 可靠性高:雪崩耐受能力优异,可承受高压冲击。
    - 集成保护功能:内置二极管提供反向保护。
    优势
    相比传统功率器件,JCS7N65FB-O-F-N-B 在功耗、效率和可靠性方面均表现出色,尤其适合对热管理和能效要求较高的应用场景。
    4. 应用案例与使用建议
    应用案例
    1. 服务器电源系统:利用其低导通电阻特性优化服务器电源模块的设计。
    2. 荧光灯驱动电路:快速开关性能有效提升荧光灯的发光效率。
    使用建议
    - 在高频开关电源中,建议合理设置栅极驱动电阻以减少开关损耗。
    - 为确保长期稳定性,建议将结温控制在 125℃以下运行。

    5. 兼容性和支持


    兼容性
    该产品可与市面上主流的 SMPS 控制芯片搭配使用,无需额外适配即可实现高效能转换。
    厂商支持
    台湾 VBsemi 提供详尽的技术文档和技术支持,客户可通过服务热线 400-655-8788 获得帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 开关过程中出现过热现象 | 优化散热设计并适当降低负载电流 |
    | 栅极电压不稳定 | 检查驱动电路连接并调整偏置电压 |
    7. 总结与推荐
    综合评估
    JCS7N65FB-O-F-N-B 是一款极具竞争力的高性能功率 MOSFET,具备低功耗、高效率及可靠的抗浪涌能力,特别适合高要求的电源管理及工业控制场景。
    推荐意见
    对于需要优化能效比和开关频率的应用场景,推荐优先选择此款器件。它不仅能够显著提升系统的整体性能,还能帮助用户节省开发时间与成本。
    制造商官网链接:[www.VBsemi.com](http://www.VBsemi.com)
    服务热线:400-655-8788

    以上内容为对 JCS7N65FB-O-F-N-B 的全面技术解读,希望能为您提供清晰且实用的信息。

JCS7N65FB-O-F-N-B-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 1.1Ω@ 10V
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 7A
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
栅极电荷 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Vds-漏源极击穿电压 650V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

JCS7N65FB-O-F-N-B-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

JCS7N65FB-O-F-N-B-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 JCS7N65FB-O-F-N-B-VB JCS7N65FB-O-F-N-B-VB数据手册

JCS7N65FB-O-F-N-B-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.498
100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 3.1093
1000+ ¥ 2.9798
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