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K4090-ZK-E1-AY-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n30V,100A,RDS(ON),2mΩ@10V,3mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.9Vth(V) 封装:TO252\n该产品是单N沟道MOSFET,用于需要高功率和高频率控制的场合,特别适用于要求高性能和低损耗的模块。
供应商型号: K4090-ZK-E1-AY-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K4090-ZK-E1-AY-VB

K4090-ZK-E1-AY-VB概述

    # N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 技术手册

    产品简介


    基本介绍
    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种高性能的功率电子器件,专为多种应用而设计。这种类型的MOSFET采用了先进的沟槽技术(TrenchFET®),具备低导通电阻、高开关速度和卓越的热稳定性。广泛应用于电源管理、OR-ing电路、服务器以及直流/直流转换器等领域。
    应用领域
    - OR-ing电路:用于电源切换,提高系统可靠性和效率。
    - 服务器:提供稳定的电力供应,保障服务器运行稳定。
    - 直流/直流转换器:用于电压变换和电源调节。

    技术参数


    静态参数
    - 最大漏源电压 (VDS):30V
    - 阈值电压 (VGS(th)):1.5V ~ 2.5V
    - 漏源导通电阻 (RDS(on)):
    - VGS = 10V,ID = 38.8A时:0.002Ω
    - VGS = 4.5V,ID = 37A时:0.00Ω
    - 反向转移电容 (Crss):770pF
    - 总栅极电荷 (Qg):
    - VDS = 15V,VGS = 10V,ID = 38.8A时:151 ~ 227nC
    - VDS = 15V,VGS = 4.5V,ID = 28.8A时:71.5 ~ 103nC
    动态参数
    - 输入电容 (Ciss):5201pF
    - 输出电容 (Coss):1525pF
    - 关断延迟时间 (td(off)):55 ~ 83ns
    - 关断恢复时间 (trr):52 ~ 78ns
    - 栅极电阻 (Rg):1.4 ~ 2.1Ω
    绝对最大额定值
    - 漏源电压 (VDS):30V
    - 栅源电压 (VGS):±20V
    - 连续漏电流 (TJ = 175°C):100A(25°C)
    - 脉冲漏电流 (Pulsed Drain Current IDM):300A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):94.8mJ
    - 最大功耗 (PD):
    - TC = 25°C时:235W
    - TC = 70°C时:165W
    - 存储温度范围 (Tstg):-55°C ~ 175°C

    产品特点和优势


    - TrenchFET® 技术:采用先进的沟槽工艺,确保低导通电阻和高可靠性。
    - 高开关速度:快速的开关特性提高了整体系统的效率。
    - 低温升特性:优异的散热性能,能够在高温环境下保持稳定运行。
    - RoHS合规:符合欧盟RoHS指令要求,环保无污染。

    应用案例和使用建议


    实际使用场景
    - 服务器电源管理系统:在服务器电源管理系统中,这种MOSFET可提供稳定的电力供应,减少故障率,提高系统可靠性。
    - 直流/直流转换器:用于电压变换,保证电压稳定,适用于需要高精度供电的应用场合。
    使用建议
    - 合理布局:确保良好的散热设计,以避免因过热导致性能下降或损坏。
    - 匹配合适驱动:选择合适的驱动电路,以实现快速、可靠的开关操作。
    - 定期检查:定期进行电气测试,确保设备始终处于最佳工作状态。

    兼容性和支持


    兼容性
    该MOSFET兼容标准的TO-252封装,易于安装和更换,适用于各种电路板设计。
    支持
    厂商提供了详尽的技术文档和支持,包括详细的产品规格书和技术指南,以及技术支持热线:400-655-8788。

    常见问题与解决方案


    常见问题及解决办法
    1. 过温报警:检查散热设计是否合理,确保散热片正确安装并保持清洁。
    2. 电压不稳定:检查驱动电路,确认驱动电压和频率设置正确。
    3. 漏电流过高:检查是否存在外部干扰或短路,必要时更换损坏部件。

    总结和推荐


    综合评估
    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET凭借其卓越的性能、高可靠性以及低成本优势,在多种应用中表现突出。其独特的TrenchFET®技术和优秀的热稳定性使其成为电源管理和高功率转换的理想选择。
    推荐
    强烈推荐使用这款MOSFET,无论是用于服务器电源管理还是直流/直流转换器,都能提供高效、可靠的电力供应,显著提升系统的整体性能。

K4090-ZK-E1-AY-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 2mΩ@10V,3mΩ@4.5V
Id-连续漏极电流 100A
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.9V
栅极电荷 -
通道数量 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

K4090-ZK-E1-AY-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K4090-ZK-E1-AY-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K4090-ZK-E1-AY-VB K4090-ZK-E1-AY-VB数据手册

K4090-ZK-E1-AY-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.138
100+ ¥ 1.9796
500+ ¥ 1.9004
2500+ ¥ 1.8212
库存: 400000
起订量: 15 增量: 2500
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型号 价格(含增值税)
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