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IRFBC20SPBF-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,650V,4A,RDS(ON),2200mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO263
供应商型号: IRFBC20SPBF-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRFBC20SPBF-VB

IRFBC20SPBF-VB概述


    产品简介


    产品名称:IRFBC20SPBF-VB
    类型:N沟道650V MOSFET
    主要功能:低栅极电荷(Qg),具备出色的开关性能和强健的栅极、雪崩及动态dv/dt耐受能力
    应用领域:适用于电源转换、电机驱动、通信设备等领域,尤其适合需要高电压、大电流应用的场合

    技术参数


    - 漏源电压(VDS):650V
    - 栅源阈值电压(VGS(th)):2.0~4.0V
    - 栅源漏电流(IGSS):±100nA
    - 零栅压漏电流(IDSS):25μA
    - 通态电阻(RDS(on)):2.1Ω(VGS = 10V)
    - 总栅极电荷(Qg):48nC(VGS = 10V, VDS = 400V)
    - 输入电容(Ciss):1417pF
    - 输出电容(Coss):1912pF
    - 反向传输电容(Crss):7.0pF
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):325mJ
    - 最大功耗(PD):60W(TC = 25°C)
    - 热阻抗(RthJA):65°C/W
    - 最高工作温度(TJ, Tstg):-55°C ~ +150°C

    产品特点和优势


    - 低栅极电荷:简化驱动需求,减少系统复杂度
    - 高耐受能力:出色的栅极、雪崩和动态dv/dt耐受能力,提升可靠性
    - 完全特性化:电容和雪崩电压、电流特性经过全面测试,确保产品质量
    - 环保合规:符合RoHS指令2002/95/EC

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:广泛应用于高压电源转换电路、电机驱动器和通信设备的电源管理单元中。特别适用于需要承受高电压和大电流的应用环境。
    - 使用建议:为确保最佳性能,在使用时应遵循数据手册中的建议条件,如控制栅极驱动信号和散热设计。避免过载操作,特别是在脉冲模式下使用时需严格遵守电流限制条件。

    兼容性和支持


    - 兼容性:与其他符合标准的N沟道MOSFET具有良好的互换性,适用于多种电源管理系统和电路设计。
    - 支持和服务:厂商提供详细的技术文档和支持服务,包括用户手册、应用指南和技术支持热线(400-655-8788)。建议用户定期查阅最新版本的数据手册以获取最新的技术和支持信息。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:如何避免栅极驱动信号不稳定?
    解决方案:确保栅极驱动器具有足够的驱动能力和快速的上升/下降时间,同时使用合适的栅极电阻(例如RG = 25Ω)以减小噪声干扰。

    - 问题2:如何防止高温损坏?
    解决方案:确保系统的散热设计合理,如使用适当的散热片或风扇,并根据数据手册的建议设置工作温度范围。必要时可以采用热管或水冷系统。

    总结和推荐


    IRFBC20SPBF-VB是一款性能优异的N沟道650V MOSFET,具有出色的开关性能和高可靠性。其低栅极电荷特性使其成为复杂电源系统设计的理想选择。适用于高电压、大电流应用场合,如电源转换和电机驱动。综合考虑,我们强烈推荐使用这款产品,特别是对于对可靠性和性能要求较高的应用场景。

IRFBC20SPBF-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Id-连续漏极电流 4A
Rds(On)-漏源导通电阻 2.2Ω@ 10V
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IRFBC20SPBF-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRFBC20SPBF-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRFBC20SPBF-VB IRFBC20SPBF-VB数据手册

IRFBC20SPBF-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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