处理中...

首页  >  产品百科  >  JCS4N70VH-VB

JCS4N70VH-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,700V,2A,RDS(ON),2400mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V);TO251
供应商型号: JCS4N70VH-VB TO251
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) JCS4N70VH-VB

JCS4N70VH-VB概述

    JCS4N70VH N-Channel Super Junction Power MOSFET

    1. 产品简介


    JCS4N70VH 是一款由VBsemi公司生产的N-通道超级结功率MOSFET,具有多种独特的特性和优势。该产品适用于电源转换、电机驱动和其他电力电子应用。超级结技术使得这款MOSFET具备低导通电阻(RDS(on))和高耐压(VDS),从而在高效率和可靠性方面表现优异。

    2. 技术参数


    - 额定电压(VDS): 700 V
    - 导通电阻(RDS(on)): 在VGS = 10 V时为2.4 Ω
    - 总栅极电荷(Qg): 最大值为15 nC
    - 栅源电荷(Qgs): 3 nC
    - 栅漏电荷(Qgd): 6 nC
    - 连续漏极电流(ID): 1.6 A (TC = 25 °C)
    - 脉冲漏极电流(IDM): 8.0 A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS): 165 mJ
    - 最大耗散功率(PD): 60 W (TC = 25 °C)
    - 最大工作温度范围(TJ, Tstg): -55 °C 到 +150 °C
    - 热阻(RthJA, RthJC): 最大值分别为65 °C/W和2.1 °C/W

    3. 产品特点和优势


    - 低栅极电荷(Qg): 简化驱动需求,减少驱动电路复杂度。
    - 增强的栅极、雪崩和动态dv/dt鲁棒性: 改善了开关过程中的耐受能力。
    - 完全标定的电容和雪崩电压及电流: 确保在不同条件下的性能一致性。
    - 符合RoHS标准: 环保且符合国际标准。

    4. 应用案例和使用建议


    JCS4N70VH适用于需要高效率和高可靠性的应用场景,如电源转换器、DC-DC转换器、电机驱动器等。在设计和使用过程中,应注意以下几个方面以优化性能:
    - 选择合适的驱动电路: 避免过高的栅极电荷和过长的开关时间。
    - 考虑散热设计: 由于高功率消耗,必须确保良好的散热措施,例如使用散热片或风扇。
    - 避免过高的温度应力: 确保工作温度在推荐范围内,特别是在高温环境下。

    5. 兼容性和支持


    JCS4N70VH设计为与其他常见的电子元器件和设备兼容。VBsemi公司提供详尽的技术支持和售后服务,包括详细的用户手册和技术文档,帮助用户更好地理解和使用该产品。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题: 开关时间过长。
    - 解决方案: 检查驱动电路的配置和参数,确保栅极电荷符合要求。
    - 问题: 温度过高导致性能下降。
    - 解决方案: 优化散热设计,增加散热片或采用主动冷却措施。
    - 问题: 雪崩电流不稳定。
    - 解决方案: 检查驱动电路的稳定性,确保输入电压和电流在安全范围内。

    7. 总结和推荐


    JCS4N70VH是一款性能卓越的N-通道超级结功率MOSFET,适用于各种高要求的应用场景。其低栅极电荷、高耐压和出色的开关性能使其在市场上具有显著的竞争优势。经过细致的设计和严格的质量控制,该产品提供了高效率和高可靠性的保证。强烈推荐在需要高性能和高可靠性的电源转换和电机驱动系统中使用此产品。

JCS4N70VH-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Rds(On)-漏源导通电阻 2.4Ω@ 10V
Id-连续漏极电流 2A
Vgs-栅源极电压 30V
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 700V
通道数量 -
配置 -
通用封装 TO-251
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

JCS4N70VH-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

JCS4N70VH-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 JCS4N70VH-VB JCS4N70VH-VB数据手册

JCS4N70VH-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.138
100+ ¥ 1.9796
500+ ¥ 1.8212
4000+ ¥ 1.742
库存: 400000
起订量: 15 增量: 4000
交货地:
最小起订量为:15
合计: ¥ 32.07
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N50E-VB ¥ 3.498
06N06L ¥ 0.253
06N60E-VB ¥ 3.498
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.43
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
10N80L-T3P-T-VB ¥ 12.5579
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.3831