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2SJ560-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-30V,-5.8A,RDS(ON),50mΩ@10V,56mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-0.6~-2Vth(V) 封装:SOT89-3
供应商型号: 2SJ560-VB SOT89-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 2SJ560-VB

2SJ560-VB概述

    # P-Channel 30-V (D-S) MOSFET 技术手册

    产品简介


    基本介绍
    P-Channel 30-V (D-S) MOSFET(型号为J560)是一款专为高可靠性设计的功率场效应晶体管(Power MOSFET)。该产品主要应用于负载开关(Load Switch)和电池开关(Battery Switch)等领域。它采用TrenchFET®技术,具有低导通电阻和快速开关速度等特点,确保了其在各类电力电子设备中的高效能表现。
    主要功能
    - 低导通电阻:RDS(on) 最小可达 0.050Ω,在 VGS = -10V 时,提供优异的电流导通能力。
    - 高速开关性能:具备快速的开关时间(td(on) 和 td(off)),可以有效提高电路效率。
    - 高可靠性:符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤素标准,满足现代电子设备对环保的要求。
    应用领域
    - 负载开关:广泛用于需要频繁切换大电流的电路中。
    - 电池开关:在电池供电系统中,作为控制开关使用,能够实现高效、可靠的电流控制。
    - 其他应用:适用于需要高可靠性、高效率的电力电子设备中。

    技术参数


    静态参数
    - 耐压:VDS(漏源电压)为 -30V。
    - 导通电阻:RDS(on) 最小可达 0.050Ω(VGS = -10V),最大为 0.056Ω(VGS = -4.5V)。
    - 门限电压:VGS(th) 范围为 -1.0V 至 -2.5V。
    - 栅源漏电流:IDSS 在 VDS = -30V, VGS = 0V 时为 -1μA。
    动态参数
    - 总栅极电荷:Qg 最大为 38nC(VDS = -15V, VGS = -10V)。
    - 输入电容:Ciss 最大为 1355pF(VDS = -15V, VGS = 0V, f = 1MHz)。
    - 输出电容:Coss 最大为 180pF。
    - 上升时间和下降时间:tr 最小为 13ns,最大为 134ns。
    工作环境
    - 温度范围:-55°C 至 +150°C。
    - 最大功率耗散:PD 最大为 6.5W(TC = 25°C),3.5W(TC = 70°C)。
    - 热阻抗:RthJA 最大为 50°C/W。

    产品特点和优势


    - 低导通电阻:低至 0.050Ω 的 RDS(on),在 VGS = -10V 时,有助于减少功耗并提高整体电路效率。
    - 高可靠性:无卤素材料和 100% Rg 测试保证了产品的可靠性和安全性。
    - 快速开关性能:极短的开关时间和快速的上升/下降时间,显著提高了系统的响应速度和可靠性。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    在一款基于此 MOSFET 设计的负载开关系统中,通过精确控制栅极电压,实现了高效的电流切换和低功耗操作。由于其出色的热管理和高耐压性能,使得该系统能够在严苛的工作环境中稳定运行。
    使用建议
    - 选择合适的驱动电路:根据应用场景选择适当的驱动电路,确保 MOSFET 正常工作。
    - 考虑散热措施:由于最大功耗高达 6.5W,合理设计散热方案以保持良好的工作温度。
    - 测试验证:在正式应用前,进行充分的测试验证,确保各项指标满足需求。

    兼容性和支持


    - 兼容性:J560 与其他标准电子元器件具有良好的兼容性,可以方便地集成到现有电路中。
    - 支持:制造商提供详尽的技术文档和在线技术支持,帮助用户快速解决问题。

    常见问题与解决方案


    常见问题及解决方案
    1. 问题:工作过程中出现异常发热现象。
    - 解决方案:检查散热设计是否合理,必要时增加外部散热装置。
    2. 问题:无法正常关断。
    - 解决方案:确保驱动电路的栅极电压正确,确认栅极电阻值合适。
    3. 问题:过载保护失效。
    - 解决方案:检查电路中的过载保护机制是否正常工作,如有需要,请咨询专业工程师。

    总结和推荐


    综合评估
    P-Channel 30-V (D-S) MOSFET J560 是一款性能卓越、可靠性高的功率场效应晶体管。其低导通电阻、高开关速度和广泛的温度适用范围使其成为众多电力电子设备的理想选择。特别是其在负载开关和电池开关领域的应用,展示了其独特的价值。
    推荐结论
    鉴于其优异的性能和广泛的应用场景,我们强烈推荐将 J560 MOSFET 应用于各类电力电子设备中。该产品不仅能够提升系统效率,还能增强系统的可靠性和耐用性,是非常值得信赖的选择。

2SJ560-VB参数

参数
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -600mV~-2V
Rds(On)-漏源导通电阻 50mΩ@10V,56mΩ@4.5V
Id-连续漏极电流 5.8A
Vds-漏源极击穿电压 30V
通道数量 -
FET类型 1个P沟道
栅极电荷 -
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

2SJ560-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

2SJ560-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 2SJ560-VB 2SJ560-VB数据手册

2SJ560-VB封装设计

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