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IRFR9010PBF-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nP沟道,-60V,-38A,RDS(ON),61mΩ@10V,72mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.3Vth(V) 封装:TO252\n可用于稳压器、电源开关模块等领域。其低导通电阻和高阈值电压使其特别适用于需要高效率和高稳定性的应用,如无线通信设备中的功率放大器模块、LED照明驱动器等。此外,其低阈值电压和大额定漏极电流也使其成为家用电器控制模块、工业电机控制器等领域的理想选择。
供应商型号: IRFR9010PBF-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRFR9010PBF-VB

IRFR9010PBF-VB概述


    产品简介


    P-Channel MOSFET
    IRFR9010PBF是一款采用TrenchFET®技术的P沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。这款MOSFET具备低导通电阻和高可靠性的特点,广泛应用于负载开关、电源管理等领域。该产品采用TO-252封装形式,具有优异的热性能和稳定的工作特性,适用于各种工业和消费电子产品。

    技术参数


    以下是IRFR9010PBF的主要技术规格:
    - VDS (Drain-Source Breakdown Voltage): 最大值为60V。
    - RDS(on) (On-State Drain-Source Resistance):
    - 在VGS = -10V时,最大值为0.150Ω。
    - 在VGS = -4.5V时,最大值为0.072Ω。
    - ID (Continuous Drain Current): 在25°C下为-30A;在100°C下为-25A。
    - Qg (Total Gate Charge): 在VDS = -30V、VGS = -10V时,典型值为10nC。
    - Thermal Resistance: 瞬态热阻抗在稳态条件下为62-75°C/W;单脉冲条件下为20-25°C/W。
    - 绝对最大额定值:
    - VGS(Gate-Source电压): ±20V。
    - IDM(Pulsed Drain Current): -20A。
    - TA(Operating Junction和Storage Temperature Range): -55至175°C。

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻: IRFR9010PBF在各种电压下的RDS(on)都较低,有助于提高电路的整体效率。
    2. 高可靠性: 100% UIS(Unclamped Inductive Switching)测试确保了产品的高可靠性。
    3. 快速响应: 具备低的td(on)、tr、td(off)和tf时间,有助于加快电路的响应速度。
    4. 优良的热性能: 具有良好的热传导特性,可承受较大的瞬态电流冲击。
    5. 紧凑封装: TO-252封装使得器件易于安装且占用空间小。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 负载开关: IRFR9010PBF可用于实现电路中的负载切换,特别适合需要高可靠性的场合,如汽车电子系统和工业自动化设备。
    - 电源管理: 可用于直流-直流转换器或电源开关,提高电源转换效率。
    使用建议
    - 散热设计: 由于IRFR9010PBF具备较高的瞬态热阻抗,建议在实际应用中加强散热设计,以保持器件在正常温度范围内工作。
    - 电路布局: 确保电路中的栅极驱动电路设计合理,避免过大的总栅极电荷导致的延迟问题。
    - 电压裕度: 建议在设计电路时留有足够的电压裕度,确保在瞬态条件下器件仍能正常工作。

    兼容性和支持


    - 兼容性: IRFR9010PBF与市面上大多数标准电路板和工具兼容,特别是与表面贴装技术(SMT)兼容。
    - 支持和维护: 制造商提供详尽的技术文档和客户支持,用户可通过公司网站或服务热线(400-655-8788)获取帮助。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 电路工作过程中发现温度过高。
    - 解决方案: 检查散热设计,确保散热片正确安装并有效散热。如果必要,可以增加散热风扇或其他辅助冷却措施。

    2. 问题: 电路中出现过压保护失效的情况。
    - 解决方案: 检查VGS设置,确保其不超过器件的最大额定值。同时,检查电路中的其他元器件是否符合要求。

    总结和推荐


    IRFR9010PBF是一款高性能的P沟道MOSFET,具备低导通电阻、快速响应和优良的热性能等显著优点。该器件在负载开关和电源管理等领域表现出色,是现代电子设计的理想选择。综合考虑其技术规格和应用优势,强烈推荐使用IRFR9010PBF来提升电路性能和可靠性。

IRFR9010PBF-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个P沟道
通道数量 -
配置 -
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 38A
Rds(On)-漏源导通电阻 61mΩ@10V,72mΩ@4.5V
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.3V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IRFR9010PBF-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRFR9010PBF-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRFR9010PBF-VB IRFR9010PBF-VB数据手册

IRFR9010PBF-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.138
100+ ¥ 1.9796
500+ ¥ 1.9004
2500+ ¥ 1.8212
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