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IRF9358TRPBF-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-30V,-8A,RDS(ON),13mΩ@10V,16mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.5Vth(V) 封装:SOP8
供应商型号: IRF9358TRPBF-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRF9358TRPBF-VB

IRF9358TRPBF-VB概述

    IRF9358TRPBF Dual P-Channel 30-V MOSFET 技术手册

    产品简介


    IRF9358TRPBF 是一款双极型P沟道30V(D-S)MOSFET,主要用于笔记本电脑、台式机、游戏机等设备中的负载开关。该产品采用TrenchFET®功率MOSFET技术,具备无卤素设计,可承受100%的雪崩测试,确保稳定性和可靠性。

    技术参数


    - 电压参数
    - 漏源击穿电压 \(V{DS}\):最大值为-30V
    - 雪崩电流 \(I{AS}\):最大值为-20A
    - 单脉冲雪崩能量 \(E{AS}\):20mJ
    - 电流参数
    - 持续漏极电流 \(ID\):最大值为-12A(TC = 25°C)
    - 脉冲漏极电流 \(I{DM}\):最大值为-38A
    - 源漏二极管连续电流 \(IS\):最大值为-4.1A
    - 电阻参数
    - 漏源导通电阻 \(R{DS(on)}\)
    - 在 \(V{GS} = -10V\) 时,\(I{D} = -7.3A\):0.01Ω
    - 在 \(V{GS} = -4.5V\) 时,\(I{D} = -6.2A\):0.013Ω
    - 电容参数
    - 输入电容 \(C{iss}\):1350pF(\(V{DS} = -15V, V{GS} = 0V, f = 1MHz\))
    - 输出电容 \(C{oss}\):215pF
    - 反向传输电容 \(C{rss}\):185pF
    - 热参数
    - 最大结至环境热阻 \(R{thJA}\):38°C/W(最大值)
    - 最大结至引脚热阻 \(R{thJF}\):20°C/W(最大值)

    产品特点和优势


    IRF9358TRPBF 的显著特点是其低导通电阻和高可靠性。它采用了无卤素设计和100%雪崩测试,确保在高温和高湿度环境下依然表现良好。此外,它的快速开关特性和低栅极电荷使其非常适合用于高频开关应用。

    应用案例和使用建议


    - 负载开关:适用于笔记本电脑、台式机、游戏机等设备的电源管理电路中。
    - 高可靠性的电源转换:由于其高可靠性,适用于需要长期稳定工作的场合。
    使用建议:
    1. 确保在应用环境中不超过绝对最大额定值,特别是在极端温度下。
    2. 使用适当的散热措施以保持结温低于最大值。
    3. 根据具体应用选择合适的栅极驱动电阻以优化开关性能。

    兼容性和支持


    - 兼容性:本产品与其他常见的SO-8封装的MOSFET具有良好的兼容性,可直接替换使用。
    - 支持:厂商提供技术支持热线(400-655-8788),可随时咨询使用过程中遇到的技术问题。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:产品在高温环境下无法正常工作。
    - 解决办法:确保散热措施得当,避免结温过高。
    - 问题2:在高频率应用中出现过早失效。
    - 解决办法:选择合适的栅极驱动电阻以降低开关损耗。

    总结和推荐


    IRF9358TRPBF 是一款高性能、高可靠性的双极型P沟道MOSFET,适用于多种负载开关应用。其独特的技术优势和广泛应用场景使得它在市场上具有较高的竞争力。对于需要高可靠性和高效率的电源管理电路,IRF9358TRPBF 是一个理想的选择。强烈推荐使用。

IRF9358TRPBF-VB参数

参数
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.5V
Rds(On)-漏源导通电阻 13mΩ@10V,16mΩ@4.5V
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 30V
通道数量 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 8A
FET类型 1个P沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IRF9358TRPBF-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRF9358TRPBF-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRF9358TRPBF-VB IRF9358TRPBF-VB数据手册

IRF9358TRPBF-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.3325
100+ ¥ 2.1597
500+ ¥ 1.987
4000+ ¥ 1.9005
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型号 价格(含增值税)
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