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K5A65DA-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO220F,具有高性能和可靠性,适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。650V,7A,RDS(ON),1100mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V)
供应商型号: K5A65DA-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K5A65DA-VB

K5A65DA-VB概述

    K5A65DA N-Channel Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    K5A65DA 是一款高性能的 N-Channel Power MOSFET(功率金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于多种电子设备中的电源管理和控制。这种 MOSFET 主要用于服务器和电信电源供应系统、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)及照明(如高强度放电灯和荧光灯)和工业设备中。它以高可靠性、低功耗和出色的热稳定性著称。

    技术参数


    - 电压参数:
    - 最大漏源电压 (VDS): 650 V
    - 极限电压 (V): 650 V
    - 最大栅极-源极电压 (VGS): ±30 V
    - 栅极-源极漏电流 (IGSS): ±100 nA (VGS = ±20 V),±1 μA (VGS = ±30 V)
    - 静态参数:
    - 漏源击穿电压 (VDS): 650 V
    - 漏源导通电阻 (RDS(on)): 1 Ω (VGS = 10 V)
    - 输入电容 (Ciss): ≤16 pF (VGS = 0 V, VDS = 100 V, f = 1 MHz)
    - 输出电容 (Coss): ≤15 pF
    - 有效输出电容 (Co(tr)): ≤28 pF
    - 动态参数:
    - 栅极总电荷 (Qg): 3 nC (VGS = 10 V, ID = 4 A)
    - 栅极-源极电荷 (Qgs): ≤4 nC
    - 栅极-漏极电荷 (Qgd): ≤2 nC
    - 开关延迟时间 (td(on)): ≤100 ns
    - 关断延迟时间 (td(off)): ≤100 ns
    - 绝对最大额定值:
    - 持续漏极电流 (ID): 10 A (TC = 25 °C)
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 90 mJ
    - 最大功耗 (PD): 140 W
    - 工作结温及存储温度范围 (TJ, Tstg): -55 至 +150 °C

    产品特点和优势


    K5A65DA 具有多项显著特点,使其在市场上具有很强的竞争力:
    - 低品质因素 (FOM):Ron x Qg 非常低,意味着在相同电流下具有较低的导通电阻和门极电荷。
    - 低输入电容:Ciss 非常低,有助于减少开关过程中的能量损失。
    - 低损耗:减小了开关损耗和导通损耗。
    - 超低栅极电荷:Qg 非常低,使得开关速度更快且驱动功率需求更低。
    - 可重复冲击能量:雪崩能量 (UIS) 额定值为 90 mJ,保证了在高压环境下能够承受瞬态电压的影响。

    应用案例和使用建议


    K5A65DA 适用于多个不同的应用场合,例如:
    - 服务器和电信电源供应系统:适合在服务器机房等高密度环境中使用。
    - 开关模式电源 (SMPS):能够有效提高电源转换效率。
    - 功率因数校正 (PFC):降低电能浪费,提升整体效率。
    - 照明:可用于高强度放电灯和荧光灯的驱动电路中。
    - 工业设备:在工业自动化和控制系统中使用广泛。
    使用建议:
    - 在高温环境下使用时,建议监测其工作温度,确保不超过最大允许温度。
    - 使用散热片或其他冷却方法,以避免长时间工作导致过热。
    - 确保正确连接栅极和源极,以减少寄生电感和噪声影响。

    兼容性和支持


    K5A65DA 支持标准的 TO-220 FULLPAK 封装,方便安装和集成。厂商提供技术支持和售后服务,确保客户能够顺利使用该产品。如果您有任何疑问或需要进一步的支持,可以联系官方的服务热线:400-655-8788。

    常见问题与解决方案


    - 问题:如何确保正确的栅极驱动电压?
    解答:通过正确设置栅极驱动电压(如 10 V),确保 MOSFET 能够正常导通和关断。

    - 问题:MOSFET 温度过高怎么办?
    解答:采用合适的散热措施,如加装散热片,并确保良好的空气流通环境。

    总结和推荐


    K5A65DA 是一款高效、可靠的 N-Channel Power MOSFET,非常适合用于电源管理、电力转换和其他需要高效率和高可靠性的场合。其优异的性能指标和宽泛的应用范围使其在市场上占据了一席之地。推荐在上述应用中使用此款 MOSFET,特别是在追求低功耗和高效率的设计中。

K5A65DA-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 650V
通道数量 -
栅极电荷 -
配置 -
Id-连续漏极电流 7A
Rds(On)-漏源导通电阻 1.1Ω@ 10V
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K5A65DA-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K5A65DA-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K5A65DA-VB K5A65DA-VB数据手册

K5A65DA-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.498
100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 3.1093
1000+ ¥ 2.9798
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型号 价格(含增值税)
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