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K6P60W-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单极性 N 型功率场效应晶体管(MOSFET),额定电压高达650V,适用于高压应用场景。门源电压范围广泛(±30V),具有良好的电压容忍性。阈值电压较低(3.5V),有助于减少功率损耗。在VGS=10V时的漏极-源极电阻为700m?,提供可靠的导通特性。漏极电流为7A,适用于中等功率需求。采用SJ_Multi-EPI技术,具有优异的热稳定性和可靠性。封装为TO252,易于安装和散热。
供应商型号: K6P60W-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K6P60W-VB

K6P60W-VB概述


    产品简介


    4VQFS+VODUJPO Power MOSFET 是一种高性能的N沟道增强型功率场效应晶体管,具备低导通电阻(RDS(on))和低栅极电荷(Qg),使其适用于多种高效率电源转换应用。此产品广泛应用于服务器和电信电源系统、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)电源系统、以及照明和工业控制等领域。

    技术参数


    - 最大耐压 (VDS):650 V
    - 最大漏极电流 (ID):30 A
    - 连续漏极电流 (TC = 25°C):8 A
    - 栅极-源极电压 (VGS):±30 V
    - 导通电阻 (RDS(on)) 最大值:0.7 Ω (VGS = 10 V, TC = 25 °C)
    - 总栅极电荷 (Qg):13 nC
    - 输出电容 (Coss):可变
    - 反向传输电容 (Crss):可变
    - 输入电容 (Ciss):147 pF (VGS = 0 V, VDS = 100 V, f = 1 MHz)
    - 工作温度范围:-55°C 至 +150°C
    - 散热要求:峰值温度300°C下焊接时间不超过10秒

    产品特点和优势


    - 低阻抗:通过低RDS(on) 和 Qg 的设计,减少了切换和导通损耗,从而实现更高的能源效率。
    - 快速响应:超低的栅极电荷有助于降低延迟,提升系统的响应速度。
    - 可靠性高:具有重复脉冲承受能力,可以应对高频率和高强度的工作环境。
    - 多功能适应性:适合多种复杂应用环境,例如服务器电源系统和高亮度灯照明等。

    应用案例和使用建议


    - 服务器和电信电源系统:在这种高功耗应用中,该器件的低功耗特性和可靠性能显著提升了电源供应的稳定性和效率。
    - 照明应用:在高亮度放电灯和荧光灯球泡驱动器中,其高开关频率特性可以提升灯具的能效和稳定性。
    - 工业应用:对于需要高电流和高电压工作的工业控制系统,该器件的高电流处理能力和耐高温特性显得尤为适用。
    使用建议:
    - 确保散热良好,尤其是高电流工作时,避免过热导致损坏。
    - 在电路设计中考虑减少寄生电感和优化接地平面,以提高开关效率和可靠性。

    兼容性和支持


    - 兼容性:这款MOSFET与常见的电源管理芯片和控制器兼容,适用于各种应用方案。
    - 支持:VBsemi公司提供详尽的技术文档和支持,帮助客户解决使用过程中的技术问题。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:过温保护机制不触发
    - 解决方案:检查散热系统是否正常工作,确保MOSFET的温度不超过绝对最高额定值。

    - 问题2:导通电阻异常高
    - 解决方案:确认栅极电压是否达到阈值,确保正确驱动信号输入。

    总结和推荐


    综上所述,这款VBsemi的4VQFS+VODUJPO Power MOSFET凭借其高效、低损耗的特点,在各类高要求的应用环境中表现出色。它不仅提供了卓越的电气性能,还具有优异的温度适应性和稳定的耐用性。因此,强烈推荐该产品给需要高性能电源解决方案的设计者和制造商。

K6P60W-VB参数

参数
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
通道数量 -
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 7A
Vgs-栅源极电压 30V
Vds-漏源极击穿电压 650V
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 700mΩ@ 10V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

K6P60W-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K6P60W-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K6P60W-VB K6P60W-VB数据手册

K6P60W-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.887
100+ ¥ 3.5991
500+ ¥ 3.3111
2500+ ¥ 3.1672
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型号 价格(含增值税)
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