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K4013-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,800V,5A,RDS(ON),1300mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220F
供应商型号: K4013-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K4013-VB

K4013-VB概述

    K4013-VB N-Channel 800V Super Junction Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    K4013-VB 是一款高性能的 N 沟道 800V 超级结(Super Junction)功率 MOSFET。这款 MOSFET 在高压和高频应用中表现出色,具有低导通电阻(RDS(on))和高动态 dV/dt 额定值。主要应用领域包括电源转换器、电机驱动、汽车电子和工业控制设备等。

    技术参数


    - 基本参数
    - 最大漏源电压 (VDS): 800 V
    - 最大栅源电压 (VGS): ±30 V
    - 连续漏极电流 (ID): 5 A (TC = 25 °C), 3.9 A (TC = 100 °C)
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 21 A
    - 最大结温 (TJ): 150 °C
    - 存储温度范围 (Tstg): -55°C 至 +150°C
    - 最大反向恢复 dV/dt: 2.0 V/ns
    - 静态参数
    - 导通电阻 (RDS(on)): 1.2 Ω (VGS = 10 V, ID = 3.7 A)
    - 门极-源极阈值电压 (VGS(th)): 2.0 - 4.0 V
    - 零门极电压漏极电流 (IDSS): 100 μA (VDS = 800 V, VGS = 0 V)
    - 动态参数
    - 输入电容 (Ciss): 3100 pF (VGS = 0 V, VDS = 25 V, f = 1.0 MHz)
    - 输出电容 (Coss): 800 pF
    - 反向传输电容 (Crss): 490 pF
    - 总门极电荷 (Qg): 200 nC (VGS = 10 V, ID = 3.8 A, VDS = 400 V)
    - 热阻参数
    - 最大结到环境热阻 (RthJA): 40 °C/W
    - 结到散热片热阻 (RthCS): 0.24 °C/W

    产品特点和优势


    1. 动态 dV/dt 额定值: 具有出色的动态性能,适用于高速开关应用。
    2. 重复雪崩额定值: 支持重复雪崩条件,适合恶劣环境下的稳定运行。
    3. 简易驱动要求: 简化的驱动电路设计,便于集成。
    4. 符合 RoHS 指令: 环保材料,满足 RoHS 规范。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例: K4013-VB 常用于高效电源转换器和逆变器中。例如,在电动汽车充电站的应用中,它能提供高效的能量转换,减少能源浪费。

    - 使用建议: 在选择门极驱动器时,应确保其能够满足所需的快速开关需求。此外,建议使用散热片以提高散热效果,从而保证器件长期稳定工作。

    兼容性和支持


    K4013-VB 兼容多种门极驱动器,并支持常见的电气标准。厂商提供了详尽的技术文档和客户支持,包括在线帮助和售后服务。如果您有任何疑问,可以拨打服务热线:400-655-8788 或访问官方网站 www.VBsemi.com 获取更多帮助。

    常见问题与解决方案


    - Q1: K4013-VB 是否支持重复雪崩条件?
    - A1: 是的,K4013-VB 具有重复雪崩额定值,支持在重复雪崩条件下工作。请参阅手册中的图 11 和图 12 获取更多信息。
    - Q2: 如何正确安装 K4013-VB?
    - A2: 正确安装 K4013-VB 需要将散热片紧密接触,并使用适当的螺钉扭矩。具体参数参见手册中的表格部分。

    总结和推荐


    K4013-VB N-Channel 800V Super Junction Power MOSFET 凭借其出色的动态性能、良好的可靠性及环保特性,是一款非常适合于高压高频应用的理想选择。无论是电源转换器还是电机驱动器,K4013-VB 都能提供卓越的表现。我们强烈推荐在相关应用中使用此产品。

K4013-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 1.3Ω@ 10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Vgs-栅源极电压 30V
配置 -
通道数量 -
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 800V
Id-连续漏极电流 5A
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K4013-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K4013-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K4013-VB K4013-VB数据手册

K4013-VB封装设计

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