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K3147-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单N型场效应管,适用于多种应用场景。具有高达100V的漏极-源极电压、20V的栅极-源极电压和1.8V的门槽电压。在VGS=10V时,漏极-源极电阻为114m?,适用于广泛的电压工作范围。采用Trench技术,提供了更好的性能和可靠性
供应商型号: K3147-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K3147-VB

K3147-VB概述


    产品简介


    本产品是一款N-Channel 100 V (D-S) MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于电子元器件中的一种重要器件。其主要功能是在电力转换、开关控制等领域中作为电源管理的关键组件。MOSFET作为一种高效的功率开关,广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器和其他需要高效率和快速开关的应用场景中。

    技术参数


    - 基本规格:
    - 最大漏源电压(VDS):100 V
    - 栅极阈值电压(VGS(th)):在 VDS = VGS 和 ID = 250 µA 时为未明确指定
    - 漏源击穿电压(VDS):在 VGS = 0 V 和 ID = 250 µA 时为 100 V
    - 零栅压漏电流(IDSS):在 VDS = 100 V 时,VGS = 0 V 时为 1 μA
    - 最大脉冲漏电流(IDM):40 A
    - 持续漏源电流(ID):在 TC = 25 °C 时为 13 A,在 TC = 125 °C 时为 3 A
    - 最大单脉冲雪崩能量(EAS):18 mJ
    - 最大功率耗散(PD):在 TC = 25 °C 时为 96 W
    - 绝对最大工作温度范围(TJ, Tstg):-55 至 175 °C
    - 热阻率:
    - 结到环境热阻(RthJA):典型值 15 °C/W,最大值 18 °C/W
    - 结到外壳热阻(RthJC):典型值 0.85 °C/W,最大值 1.1 °C/W
    - 其他关键参数:
    - 转导电容(Ciss):在 VGS = 0 V 和 VDS = 25 V 时为 950 pF
    - 输出电容(Coss):120 pF
    - 反向转移电容(Crss):60 pF
    - 总栅极电荷(Qg):在 VDS = 50 V 时为 24 nC

    产品特点和优势


    1. 高性能 TrenchFET® Power MOSFET:采用先进的沟槽技术,提供更高的效率和更低的导通电阻。
    2. 高温耐受性:最高结温可达 175 °C,适合于高温工作环境。
    3. PWM 优化:适用于脉宽调制(PWM)系统,可实现高效能电源管理。
    4. 100% 测试:确保产品质量,所有产品都经过严格的栅极电阻测试。
    5. 环保合规:符合欧盟 RoHS 指令 2002/95/EC,保证产品的环保标准。

    应用案例和使用建议


    1. 开关电源:作为初级侧开关,用于控制电源的输出电压和电流,特别适用于高功率转换场合。
    2. 电机驱动:控制电机的启停和速度,提供精确的驱动控制。
    3. 逆变器:将直流电转换为交流电,适用于太阳能逆变器和其他新能源设备。
    使用建议:
    - 确保散热设计合理,以防止过热导致损坏。
    - 在高温环境下使用时,注意降低额定功率以确保安全运行。
    - 适当选择合适的驱动电路,以充分利用 MOSFET 的快速开关特性。

    兼容性和支持


    该产品设计为与多种电子元器件和设备兼容,可广泛应用于不同的应用场景。制造商提供全面的技术支持,包括安装指南、驱动电路设计建议和技术咨询。

    常见问题与解决方案


    1. 过热保护:
    - 问题:产品在高温环境中运行时温度过高。
    - 解决方案:增加散热措施,如加装散热片或优化散热路径。

    2. 栅极驱动不稳定:
    - 问题:栅极驱动信号不稳定导致开关性能下降。
    - 解决方案:检查驱动电路,确保驱动电压和频率匹配。

    3. 噪声干扰:
    - 问题:由于外部噪声干扰导致 MOSFET 开关异常。
    - 解决方案:在电路中加入滤波器,减少噪声干扰。

    总结和推荐


    总体而言,这款 N-Channel 100 V (D-S) MOSFET 是一款高效可靠的电力管理组件,适用于各种工业和消费电子应用。其优秀的性能和广泛的适用范围使其在市场上具有较高的竞争力。我们强烈推荐这一产品给需要高效能、高可靠性的客户。
    通过上述分析可以看出,该 MOSFET 在性能、可靠性以及适用性方面表现出色,能够满足大多数高要求应用场景的需求。因此,对于需要高性能电力管理和开关控制的场合,这款产品无疑是一个明智的选择。

K3147-VB参数

参数
通道数量 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 115mΩ@10V,121mΩ@4.5V
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 18A
Vds-漏源极击穿电压 100V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.6V
栅极电荷 -
配置 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

K3147-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K3147-VB数据手册

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K3147-VB封装设计

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