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K2248-01S-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,70A,RDS(ON),7mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO252 该器件的高电压承受能力和耐高温特性使其在电池管理模块中有广泛的应用,适用于需要高性能、高可靠性的电子系统,如电源开关、马达驱动和电池管理等领域的模块中。
供应商型号: K2248-01S-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K2248-01S-VB

K2248-01S-VB概述

    # N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 技术手册

    产品简介


    基本介绍
    本文档介绍的是一个高性能的N沟道30V(D-S)功率MOSFET。该产品属于VBsemi公司生产的一系列半导体元器件之一,广泛应用于多种电路设计中。
    主要功能
    该产品具备如下主要功能:
    - 高效的TrenchFET® Power MOSFET技术,具有出色的开关特性和低导通电阻。
    - 能够承受高电压和电流冲击,确保可靠性和长寿命。
    - 具备较高的安全操作区域,适用于各种极端条件下的应用。
    应用领域
    - 电源管理:如OR-ing电路。
    - 数据中心:如服务器电源转换和管理。
    - 工业应用:如DC/DC转换器和其他高可靠性需求的应用场景。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS 30 | V |
    | 栅源阈值电压 | VGS(th) | 1.5 | 2.0 V |
    | 导通电阻 | RDS(on) | 0.007 Ω |
    | 漏极连续电流(TJ=175℃) | ID 90 | A |
    | 集电极-发射极反向恢复时间 | trr 78 | ns |
    | 正向二极管电压 | VSD | 0.8 1.2 | V |

    产品特点和优势


    独特功能和优势
    1. 高可靠性:100% Rg和UIS测试确保其在极端条件下的稳定运行。
    2. 低导通电阻:典型值为0.007Ω(在VGS=10V时),可显著降低功耗。
    3. 高耐压能力:漏源电压最高可达30V,确保产品在高压环境下稳定工作。
    4. 兼容性好:适用于多种电路设计,特别是服务器和数据中心应用。

    应用案例和使用建议


    实际使用场景
    - 在服务器电源系统中作为关键的电力转换组件,提供高效的能源管理和转换。
    - 在工业控制和自动化系统中,用于实现高精度和快速响应的信号控制。
    使用建议
    1. 散热设计:在高温环境中使用时,需要特别注意散热设计以避免过热。
    2. 布局考虑:合理布局元器件,以减少寄生电容和电感,提高系统整体效率。

    兼容性和支持


    兼容性
    该产品可与其他标准封装的N沟道MOSFET兼容,适合广泛的PCB设计。
    支持和维护
    - 技术支持:用户可以联系VBsemi的服务热线获取详细的技术支持。
    - 文档资源:官方网站提供了完整的数据手册和技术资料。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:产品发热严重。
    - 解决方案:检查散热设计是否足够,可能需要增加散热片或改善通风条件。

    2. 问题:产品工作不稳定。
    - 解决方案:检查是否超出了最大工作电压和电流范围,适当调整输入电压和负载。

    总结和推荐


    综合评估
    - 优点:出色的开关性能,低导通电阻,高可靠性和广泛应用范围。
    - 推荐:基于其卓越的性能和广泛的应用范围,强烈推荐在需要高效电源管理和高可靠性要求的应用中使用该产品。
    该产品不仅能够满足当前市场的需求,而且在未来的应用场景中也具备较强的适应性。对于寻求高效能和高可靠性的设计者来说,它是一个非常理想的选择。

K2248-01S-VB参数

参数
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
Rds(On)-漏源导通电阻 7mΩ@10V,9mΩ@4.5V
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.8V
Id-连续漏极电流 70A
通道数量 -
最大功率耗散 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

K2248-01S-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K2248-01S-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K2248-01S-VB K2248-01S-VB数据手册

K2248-01S-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.3614
100+ ¥ 1.2606
500+ ¥ 1.2101
2500+ ¥ 1.1597
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