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K4101LS-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 单N沟道MOSFET,采用Plannar技术,具有高性能和可靠性。该产品具有650V的漏极-源极电压(VDS)、30V的栅极-源极电压(VGS)、以及3.5V的阈值电压(Vth)。其封装为TO220F,适用于各种应用场景。
供应商型号: K4101LS-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K4101LS-VB

K4101LS-VB概述

    # K4101LS-VB 电子元器件技术手册

    产品简介


    基本介绍
    K4101LS-VB 是一款高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET,专为高频开关电源设计。其卓越的性能使其成为服务器、电信电源、照明系统(如高强度放电灯和荧光灯)、工业设备等领域的重要组成部分。该器件通过优化的导通电阻和低栅极电荷特性,能够显著降低功耗并提高整体能效。

    技术参数


    以下为 K4101LS-VB 的关键技术参数:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS 650 | V |
    | 栅源阈值电压 | VGS(th) | 2 4 | V |
    | 导通电阻 | RDS(on) 0.053 Ω |
    | 总栅极电荷 | Qg 10 nC |
    | 输入电容 | Ciss 82 pF |
    | 输出电容 | Coss 57 pF |
    | 反向传输电容 | Crss 5.4 pF |
    | 工作温度范围 | TJ, Tstg | -55 150 | °C |
    其他重要参数:
    - 绝对最大额定漏极电流:IDM = 178 A
    - 单脉冲雪崩能量:EAS = 97 mJ
    - 热阻抗:RthJA = 63°C/W,RthJC = 0.6°C/W

    产品特点和优势


    K4101LS-VB 的核心优势在于其出色的性能表现和广泛的应用适应性:
    1. 低导通损耗与开关损耗:得益于极低的导通电阻 (RDS(on)) 和栅极电荷 (Qg),该器件能够大幅减少开关过程中的能量损失,适合高频工作。
    2. 高可靠性:其承受雪崩能力达 97 mJ,适合恶劣工作环境。
    3. 宽广的工作温度范围:能够在极端温度环境下稳定运行(-55°C 至 150°C),适用于工业及严苛条件。
    4. 紧凑封装:采用 TO-220 Fullpak 封装,易于安装且具有良好的散热性能。
    这些特点使 K4101LS-VB 成为服务器电源、电信设备及工业应用的理想选择,显著提升整体效率并降低总体成本。

    应用案例和使用建议


    典型应用场景
    - 服务器和电信电源:用于直流-直流转换器中,满足高频运行要求。
    - 照明控制:适合 HID 照明和荧光灯驱动电路,提高能源利用率。
    - 工业电机驱动:应用于逆变器和其他需要快速开关特性的场景。
    使用建议
    1. 在高频率下使用时,需注意 PCB 设计以减少寄生电感,确保器件安全运行。
    2. 对于需要大电流的应用,应根据热设计优化散热措施,例如加装散热片或风扇。
    3. 在高温环境中运行时,应注意监测漏极电流和结温变化,避免因过热导致损坏。

    兼容性和支持


    K4101LS-VB 与大多数标准驱动电路完全兼容,且其 TO-220 Fullpak 封装允许轻松更换其他类似型号的器件。此外,VBsemi 提供全面的技术支持服务,包括应用指南、样品请求及售后咨询,助力客户快速部署解决方案。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 开关过程中出现异常发热 | 检查 PCB 布局,减少寄生电感;增加散热装置。 |
    | 高频操作时效率下降 | 调整驱动电阻 (Rg),优化栅极充电时间。 |
    | 寿命测试发现击穿现象 | 确保工作电压不超过额定值,并定期检查散热情况。 |

    总结和推荐


    综合评估
    K4101LS-VB 功率 MOSFET 展现了卓越的电气性能和稳定性,特别是在低损耗、高频操作方面表现出色。凭借其高可靠性、易用性和成本效益,该器件成为诸多领域的理想选择。
    推荐意见
    我们强烈推荐 K4101LS-VB 用于服务器、通信设备和工业控制领域,尤其是对能效有严格要求的场合。对于希望提升系统整体效率、降低成本的客户而言,这款器件无疑是首选方案之一。
    如有进一步疑问,请联系我们的服务热线:400-655-8788 或访问官网:[www.VBsemi.com](http://www.VBsemi.com)。

K4101LS-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.36V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 650V
通道数量 -
Id-连续漏极电流 10A
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 830mΩ@ 10V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K4101LS-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K4101LS-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K4101LS-VB K4101LS-VB数据手册

K4101LS-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 4.2759
100+ ¥ 3.9592
500+ ¥ 3.8008
1000+ ¥ 3.6425
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