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NCE0101-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,100V,2A,RDS(ON),246mΩ@10V,260mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:SOT-23
供应商型号: NCE0101-VB SOT23
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NCE0101-VB

NCE0101-VB概述


    产品简介


    NCE0101 - N-Channel 100V MOSFET
    NCE0101是一款N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于各种电源管理和驱动应用。此器件采用先进的TrenchFET®技术,具有低导通电阻(RDS(on))和高电流承载能力,使其成为DC/DC转换器、负载开关和LCD电视背光驱动的理想选择。

    技术参数


    静态参数
    - 最大漏源电压(VDS):100V
    - 漏源开启电压(VGS(th)):1.2V至2.8V
    - 零栅压漏极电流(IDSS):-1µA(VDS=100V,VGS=0V)
    - 开启状态漏极电流(ID(on)):5A(VDS≥5V,VGS=4.5V)
    - 开启状态漏源电阻(RDS(on)):0.240Ω(VGS=10V,ID=1.5A)
    动态参数
    - 输入电容(Ciss):190pF(VDS=50V,VGS=0V,f=1MHz)
    - 输出电容(Coss):22pF
    - 反向转移电容(Crss):13pF
    - 总栅极电荷(Qg):5.2nC(VDS=50V,VGS=10V,ID=1.6A)
    - 栅源电荷(Qgs):0.75nC
    - 栅漏电荷(Qgd):1.4nC
    - 栅极电阻(Rg):0.3Ω至2.8Ω(f=1MHz)
    绝对最大额定值
    - 最大漏源电压(VDS):100V
    - 最大栅源电压(VGS):±20V
    - 连续漏极电流(ID):2A(TJ=150°C)
    - 单脉冲雪崩电流(IAS):5A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):1.25mJ
    - 最大功率耗散(PD):2.5W(TC=25°C)

    产品特点和优势


    NCE0101具备多种显著的特点和优势:
    - 高可靠性:所有产品经过100% Rg测试和UIS测试。
    - 低导通电阻:具有非常低的RDS(on),从而减少功耗。
    - 先进的TrenchFET技术:确保高性能和高可靠性。
    - 广泛的温度范围:可在-55°C到150°C之间正常工作。
    这些特点使得NCE0101在电源管理、DC/DC转换和LED背光控制等应用中表现出色。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - DC/DC转换器:在高效率电源管理方案中作为开关元件使用。
    - 负载开关:用于高效切换和调节电流。
    - LED背光:为LCD电视提供稳定的背光驱动。
    使用建议
    - 散热设计:考虑到其最大功率耗散为2.5W,在高功率应用中需要适当的散热措施,以确保长时间稳定运行。
    - 栅极驱动电阻:为了优化开关速度和降低EMI,建议合理设置栅极驱动电阻(Rg)。

    兼容性和支持


    NCE0101与标准SOT-23封装兼容,适用于大多数通用PCB设计。制造商提供详细的文档和技术支持,包括应用指南和故障排除建议。

    常见问题与解决方案


    常见问题
    1. 过热问题
    - 解决方案:增加散热片或改善散热设计,确保设备在安全温度范围内运行。

    2. 栅极驱动不稳定
    - 解决方案:合理选择栅极驱动电阻,确保开关时间符合应用需求。
    3. 功率损耗大
    - 解决方案:检查电路布局和散热设计,确保最大功率耗散不超过规定限制。

    总结和推荐


    综合评估:
    NCE0101是一款高性能的N沟道MOSFET,具备低导通电阻、高可靠性和广泛的工作温度范围。其先进的TrenchFET技术保证了卓越的性能表现。总体而言,它非常适合应用于高效率电源管理和开关控制领域。
    推荐:
    鉴于其卓越的性能和广泛应用范围,强烈推荐使用NCE0101作为电源管理和开关控制的关键元件。在选择时,请根据具体应用要求进行详细评估。

NCE0101-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 246mΩ@10V,260mΩ@4.5V
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 2A
Vds-漏源极击穿电压 100V
配置 -
栅极电荷 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 SOT-23
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

NCE0101-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NCE0101-VB数据手册

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NCE0101-VB封装设计

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