处理中...

首页  >  产品百科  >  IPB80N04S4-03-VB

IPB80N04S4-03-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,40V,180A,RDS(ON),2mΩ@10V,2.5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:TO263适用于需要高性能、高可靠性的电子系统,如电源开关、电动车辆和工业控制等领域的模块中。
供应商型号: IPB80N04S4-03-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IPB80N04S4-03-VB

IPB80N04S4-03-VB概述

    IPB80N04S4-03-VB MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    IPB80N04S4-03-VB 是一款由VBsemi公司生产的N沟道功率MOSFET。其主要功能是实现同步整流及电源供应,广泛应用于各种电源管理和电力转换系统中。

    2. 技术参数


    - 基本规格
    - VDS(漏源电压):150 V
    - ID(连续漏极电流):120 A
    - RDS(on)(导通电阻):
    - VGS = 10 V时:0.0017 Ω
    - VGS = 4.5 V时:0.0025 Ω
    - Qg(总栅极电荷):120 nC(典型值),180 nC(最大值)
    - Pulsed Drain Current(脉冲漏极电流):380 A
    - Power Dissipation(功率耗散):312 W(25°C时)
    - 电气特性
    - 输入电容(Ciss):9000 pF(VDS = 20 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz)
    - 输出电容(Coss):650 pF
    - 反向传输电容(Crss):450 pF
    - 前向转移电导(gfs):180 S(VDS = 15 V, ID = 30 A)
    - 阈值电压(VGS(th)):1.2~2.5 V
    - 零栅电压漏极电流(IDSS):1 µA(VDS = 40 V)
    - 工作环境
    - 最大工作温度范围:-55°C 至 150°C
    - 最大功耗:312 W(25°C时),200 W(70°C时)

    3. 产品特点和优势


    - TrenchFET® 技术:采用先进的沟槽技术,显著降低导通电阻,提升开关效率。
    - 高可靠性:100% Rg 和 UIS 测试确保产品质量。
    - 宽工作温度范围:可在极端环境下稳定工作。
    - 低阈值电压:减少驱动电路复杂度,简化设计。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:IPB80N04S4-03-VB 在电源供应模块中作为同步整流管,有效提高效率并减少热耗散。
    - 使用建议:考虑到开关频率和负载条件,在选用合适的驱动电路时需注意其对导通电阻和反向传输电容的影响,以优化系统性能。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:适用于广泛的电源管理方案,特别是需要高效能、低损耗的应用场合。
    - 支持与维护:VBsemi提供详尽的技术文档和客户服务热线(400-655-8788),确保用户能够快速获得技术支持。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:开关过程中的高频振荡
    - 解决方案:优化PCB布局,适当增加栅极电阻,使用合适的栅极驱动器。
    - 问题:过温保护失效
    - 解决方案:检查散热设计,确保良好的热管理措施。

    7. 总结和推荐


    IPB80N04S4-03-VB是一款高性能的N沟道功率MOSFET,凭借其优异的导通特性和宽广的工作温度范围,非常适合于多种电源管理和电力转换应用。其独特的TrenchFET®技术和先进的设计使其在市场上具有显著的竞争优势。强烈推荐给寻求高效、可靠的电力转换解决方案的设计工程师。

IPB80N04S4-03-VB参数

参数
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 2mΩ@10V,2.5mΩ@4.5V
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V~3V
Vds-漏源极击穿电压 40V
Id-连续漏极电流 180A
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IPB80N04S4-03-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IPB80N04S4-03-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IPB80N04S4-03-VB IPB80N04S4-03-VB数据手册

IPB80N04S4-03-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 5.8305
100+ ¥ 5.3986
500+ ¥ 5.1826
800+ ¥ 4.9667
库存: 400000
起订量: 10 增量: 800
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 58.3
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
05N03LB-VB TO263 ¥ 2.9159
07N60-VB ¥ 3.1091
07N60S5-VB TO252 ¥ 3.887
07N70CF-VB ¥ 3.498
093N06N-VB TO220 ¥ 2.9159
100N08N-VB TO262 ¥ 4.8594
10N60KL-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N60L-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
12N65L-ML TO220F1 ¥ 0