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UP9971G-S08-R-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,6A,RDS(ON),27mΩ@10V,32mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.5Vth(V) 封装:SOP8 在工业自动化领域,该产品可用于工业机器人、变频器和PLC等控制系统模块,提高系统的运行效率和稳定性。
供应商型号: 14M-UP9971G-S08-R-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UP9971G-S08-R-VB

UP9971G-S08-R-VB概述

    # Dual N-Channel 60V MOSFET UP9971G-S08-R 技术手册

    产品简介


    Dual N-Channel 60V MOSFET(型号UP9971G-S08-R)是一款高性能的电源管理器件,采用TrenchFET®技术,专为高压环境下的应用设计。这款MOSFET的主要功能包括承受高电压、提供低导通电阻和高电流容量。广泛应用于电源转换、电机驱动、通信设备以及汽车电子等领域。

    技术参数


    静态参数
    - 漏源电压(VDS):60 V
    - 栅源阈值电压(VGS(th)):1.5~2.5 V
    - 零栅压漏极电流(IDSS):≤1 μA
    - 正向传输电容(Coss):110~140 pF
    - 反向传输电容(Crss):50~62 pF
    - 总栅电荷(Qg):11.7~18 nC
    - 栅源电荷(Qgs):1.8~2.7 nC
    - 栅漏电荷(Qgd):2.8~4.2 nC
    - 开关延迟时间(td(on)):7~11 ns
    - 关断延迟时间(td(off)):22.4~33.5 ns
    - 导通电阻(RDS(on)):0.028 Ω @ VGS=10 V, ID=4.5 A
    动态参数
    - 最大脉冲电流(ISM):28 A
    - 反向恢复电压(VSD):≤1.1 V
    绝对最大额定值
    - 漏源电压(VDS):60 V
    - 栅源电压(VGS):±20 V
    - 连续漏极电流(ID):7 A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):16.2 mJ
    - 最高功率耗散(PD):4 W
    - 操作温度范围(TJ, Tstg):-55 ~ +175 °C
    热阻参数
    - 结点到环境热阻(RthJA):110 °C/W
    - 结点到引脚热阻(RthJF):34 °C/W

    产品特点和优势


    1. 高可靠性:100% Rg和UIS测试确保了产品的可靠性和稳定性。
    2. 宽温工作范围:-55至+175°C的工作温度范围使其适用于各种极端环境。
    3. 低导通电阻:典型值仅为0.028 Ω(@VGS=10 V, ID=4.5 A),能够显著降低功耗。
    4. 快速开关性能:低开关损耗,快速的开关时间有助于提高系统效率。
    5. 兼容性强:符合RoHS和无卤标准,环保安全。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. 电源转换:在DC-DC转换器中作为主开关管使用,实现高效、可靠的电压转换。
    2. 电机驱动:适用于各种电动机的控制和驱动,提供稳定的电流控制。
    3. 通信设备:用于通信电源模块,保证系统稳定运行。
    使用建议
    - 在高温环境下使用时,建议进行热设计,以保证良好的散热效果。
    - 选择合适的驱动电路,确保MOSFET能正常工作在最佳状态。

    兼容性和支持


    - 兼容性:UP9971G-S08-R 与标准的SO-8封装兼容,易于与其他标准电子元器件集成。
    - 支持和维护:台湾VBsemi公司提供专业的技术支持和售后服务,保障用户的正常使用。

    常见问题与解决方案


    1. Q:如何正确接线?
    - A:请严格按照产品手册中的接线图连接,确保栅源电压不超过规定范围,避免损坏。

    2. Q:长时间使用后发热严重怎么办?
    - A:检查散热设计是否合理,必要时增加散热片或风扇进行强制散热。
    3. Q:如何测量RDS(on)?
    - A:在指定条件下(如VGS=10 V, ID=4.5 A)使用万用表测量即可获得准确值。

    总结和推荐


    UP9971G-S08-R 是一款集高性能、高可靠性于一体的双N通道60V MOSFET。它的低导通电阻、快速开关能力和宽温度范围使其成为电源转换和电机控制等应用的理想选择。建议在需要高效能、高可靠性的电子系统中使用。

UP9971G-S08-R-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.5V
通道数量 -
Id-连续漏极电流 6A
Vds-漏源极击穿电压 60V
栅极电荷 -
配置 -
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 27mΩ@10V,32mΩ@4.5V
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UP9971G-S08-R-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UP9971G-S08-R-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UP9971G-S08-R-VB UP9971G-S08-R-VB数据手册

UP9971G-S08-R-VB封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 2.9614
10+ ¥ 2.7872
30+ ¥ 2.4876
100+ ¥ 1.8639
4000+ ¥ 1.7942
12000+ ¥ 1.742
库存: 65
起订量: 1 增量: 4000
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最小起订量为:1
合计: ¥ 2.96
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型号 价格(含增值税)
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