处理中...

首页  >  产品百科  >  VS4080AD-VB

VS4080AD-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,40V,85A,RDS(ON),4mΩ@10V,5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.85Vth(V) 封装:TO252适用于中等功率控制和驱动应用,包括电源转换模块、电动工具控制模块、工业自动化控制模块等领域。
供应商型号: VS4080AD-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VS4080AD-VB

VS4080AD-VB概述

    N-Channel 4-V (D-S) MOSFET 技术手册

    产品简介


    产品类型: N-Channel 4-V (D-S) MOSFET
    主要功能: 高效的功率转换与控制
    应用领域: 主要应用于同步整流、电源管理等领域。

    技术参数


    - 漏源电压 (VDS): 4V
    - 栅源电压 (VGS): ±25V
    - 连续漏极电流 (TJ = 175°C):
    - TC = 25°C 时: 85A
    - TC = 70°C 时: 70A
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 250A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 320mJ
    - 持续源极-漏极二极管电流 (IS): 110A
    - 最大功率耗散 (PD): 312W (TC = 25°C), 200W (TC = 70°C)
    - 热阻率:
    - 最大结到环境稳态 (RthJA): 32°C/W
    - 最大结到外壳稳态 (RthJC): 0.33°C/W
    - 工作温度范围: -55°C 至 150°C

    产品特点和优势


    - TrenchFET® 技术: 高效的电流处理能力和低导通电阻,提高系统效率。
    - 全检测试: 100% 的栅极电阻和 UIS 测试,确保产品质量和可靠性。
    - 低导通电阻: 在 10V 电压下为 0.0050Ω,在 4.5V 电压下为 0.0065Ω,有效减少功耗。
    - 高可靠性: 绝对最大额定值下的高安全运行能力,确保长期稳定工作。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 同步整流电路:在高频开关电源中提供高效整流。
    - 电源管理:适用于各种类型的电源管理模块,如服务器电源、通信设备电源等。
    使用建议:
    - 确保 PCB 设计合理,考虑到散热问题。
    - 考虑到额定电流和功率耗散,选择合适的散热器和布局以保证器件正常工作。

    兼容性和支持


    - 兼容性: 与标准 TO-252 封装兼容,可直接替换同类型 MOSFET。
    - 支持和服务: VBsemi 提供详尽的技术支持和售后服务,包括产品文档、应用指南和技术咨询等。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 漏电流过大
    解决方案: 检查 VGS 电压设置,确保在安全范围内。
    - 问题: 导通电阻过高
    解决方案: 检查温度是否超过最大额定值,考虑增加散热措施。
    - 问题: 温度过高
    解决方案: 增加外部散热措施,确保工作温度在安全范围内。

    总结和推荐


    总结:
    - 优点: TrenchFET® 技术、低导通电阻、高可靠性、全检测试。
    - 推荐使用: 强烈推荐用于同步整流和电源管理应用,能够显著提升系统的效率和稳定性。
    推荐结论:
    这款 N-Channel 4-V (D-S) MOSFET 是高性能电源管理的理想选择,其独特的设计和卓越的性能使其在众多同类产品中脱颖而出。无论是从可靠性和效率方面来看,都值得用户选择和信赖。

VS4080AD-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.85V
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 4mΩ@10V,5mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 40V
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 85A
通道数量 -
配置 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

VS4080AD-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VS4080AD-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VS4080AD-VB VS4080AD-VB数据手册

VS4080AD-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.3325
100+ ¥ 2.1597
500+ ¥ 2.0733
2500+ ¥ 1.987
库存: 400000
起订量: 15 增量: 2500
交货地:
最小起订量为:15
合计: ¥ 34.98
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
05N03LB-VB TO263 ¥ 2.9159
07N60-VB ¥ 3.1091
07N60S5-VB TO252 ¥ 3.887
07N70CF-VB ¥ 3.498
093N06N-VB TO220 ¥ 2.9159
100N08N-VB TO262 ¥ 4.8594
10N60KL-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N60L-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
12N65L-ML TO220F1 ¥ 0