处理中...

首页  >  产品百科  >  4423SC-VB

4423SC-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 P沟道,-30V,-11A,RDS(ON),10mΩ@10V,13mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.42Vth(V) 封装:SOP8适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域,包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。
供应商型号: 4423SC-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 4423SC-VB

4423SC-VB概述


    产品简介


    P-Channel 30-V (D-S) MOSFET 是一种用于多种应用的高可靠性场效应晶体管。该器件采用先进的TrenchFET技术制造,具有低导通电阻(RDS(on))和高击穿电压(VDS),特别适用于负载开关等应用。主要应用于笔记本电脑、台式电脑等消费电子领域。

    技术参数


    - 击穿电压(VDS):30 V
    - 最大漏极电流(ID):-11.6 A (TC=25°C)
    - 导通电阻(RDS(on)):
    - VGS = -10 V时:0.011 Ω
    - VGS = -4.5 V时:0.012 Ω
    - 输入电容(Ciss):1960 pF (VDS=-15 V, VGS=0 V, f=1 MHz)
    - 输出电容(Coss):380 pF
    - 反向转移电容(Crss):325 pF
    - 栅极电荷(Qg):
    - VDS=-15 V, VGS=-10 V时:43-65 nC
    - VDS=-15 V, VGS=-4.5 V时:22-33 nC
    - 热阻抗(RthJA):39-50 °C/W
    - 工作温度范围(TJ, Tstg):-55到150°C

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻:使得器件在开关过程中具有更低的功耗。
    2. 高可靠性测试:100% Rg测试和UIS测试确保了产品的耐用性和稳定性。
    3. 无卤素:符合IEC 61249-2-21标准,适用于环保要求高的应用场合。
    4. 宽工作温度范围:可在极端环境下稳定工作,增强了其适用性。

    应用案例和使用建议


    该器件广泛应用于负载开关、笔记本电脑和台式电脑等领域。例如,在笔记本电脑电源管理电路中,它作为负载开关可以有效地控制电源的通断,减少能耗并提高系统效率。在实际应用中,建议根据具体的工作条件选择合适的VGS值,以确保最佳的性能和稳定性。

    兼容性和支持


    该产品设计为与大多数常见的集成电路兼容。厂商提供全面的技术支持和售后服务,包括详尽的产品手册和技术文档,以帮助用户更好地理解和使用该器件。如果在使用过程中遇到任何问题,可以随时联系技术支持团队获得帮助。

    常见问题与解决方案


    1. Q: 产品如何保证耐久性和稳定性?
    - A: 该产品经过了严格的100% Rg测试和UIS测试,确保了其长期运行的稳定性和耐久性。

    2. Q: 如何正确选择VGS值?
    - A: 在选择VGS值时,建议参考产品手册中的参数表格,确保所选VGS值能适应预期的工作条件。

    3. Q: 在高温环境下工作会有什么影响?
    - A: 高温环境下,产品的导通电阻可能会略有增加,但仍在可接受范围内。建议在设计时考虑散热措施以保持性能稳定。

    总结和推荐


    P-Channel 30-V (D-S) MOSFET 是一款性能优异、应用广泛的场效应晶体管。其低导通电阻、高可靠性测试和宽工作温度范围使其成为负载开关和其他相关应用的理想选择。厂商提供的技术支持和服务保障,进一步提升了产品的实用性和可靠性。总体而言,我们强烈推荐该产品给需要高性能场效应晶体管的应用场合。

4423SC-VB参数

参数
FET类型 1个P沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 10mΩ@10V,13mΩ@4.5V
Id-连续漏极电流 11A
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
通道数量 -
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.42V
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

4423SC-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

4423SC-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 4423SC-VB 4423SC-VB数据手册

4423SC-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.5546
100+ ¥ 1.4394
500+ ¥ 1.3818
4000+ ¥ 1.3243
库存: 400000
起订量: 20 增量: 4000
交货地:
最小起订量为:20
合计: ¥ 31.09
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336