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P0908AT-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,80V,100A,RDS(ON),7mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.7Vth(V) 封装:TO220\n适用于需要高电压耐受能力、大电流特性和稳定性的领域和模块,如电源模块、电机驱动、光伏逆变器和电动汽车充电桩等。
供应商型号: P0908AT-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) P0908AT-VB

P0908AT-VB概述

    N-Channel 80V (D-S) MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    N-Channel 80V (D-S) MOSFET 是一种高性能的沟槽式功率金属氧化物半导体场效应晶体管(TrenchFET® Power MOSFET),适用于各种电力转换和控制应用。这款产品主要用于初级侧开关、同步整流、直流到交流逆变器和LED背光等领域。

    2. 技术参数


    - 基本参数:
    - 漏源电压 (VDS): 80V
    - 栅源电压 (VGS): ±20V
    - 连续漏电流 (TJ = 150 °C):
    - TC = 25 °C: 100A
    - TC = 70 °C: 85A
    - TA = 25 °C: 28.6A
    - TA = 70 °C: 24.9A
    - 脉冲漏电流 (t = 100 μs): 350A
    - 连续源-漏二极管电流 (TC = 25 °C): 4.5A
    - 单脉冲雪崩电流 (L = 0.1 mH): 30A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 45mJ
    - 最大功耗 (TC = 25 °C): 180W
    - 最大功耗 (TC = 70 °C): 120W
    - 最大功耗 (TA = 25 °C): 5W
    - 最大功耗 (TA = 70 °C): 3.2W
    - 工作结温和存储温度范围: -55至150°C
    - 静态参数:
    - 漏源击穿电压 (VDS): 80V
    - 栅源阈值电压 (VGS(th)): 2.0至3.5V
    - 栅源泄漏 (IGSS): ±100nA
    - 零栅源电压漏电流 (IDSS): 1μA
    - 动态参数:
    - 输入电容 (Ciss): 3855pF
    - 输出电容 (Coss): 1120pF
    - 反向转移电容 (Crss): 376pF
    - 总栅极电荷 (Qg): 18至35.5nC
    - 开启延迟时间 (td(on)): 12至24ns
    - 上升时间 (tr): 8至16ns

    3. 产品特点和优势


    这款N-Channel 80V MOSFET 具有以下特点和优势:
    - TrenchFET® 技术: 这种先进的制造技术提高了产品的可靠性和效率。
    - 高可靠性: 所有产品均经过100%的Rg和UIS测试,确保了高可靠性。
    - 低导通电阻 (RDS(on)): 在不同栅源电压下的导通电阻仅为7mΩ至9mΩ,显著降低了功耗。
    - 大电流处理能力: 最大连续漏电流可达100A,能够处理大电流负载。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    - 初级侧开关: 在电源转换器中作为主开关,能够有效降低损耗并提高能效。
    - 同步整流: 在高效电源设计中用于减少整流器的功耗。
    - LED背光: 在液晶显示器中用于控制背光源的开关,提供高效的亮度调节。
    - 使用建议:
    - 在高温环境下使用时,应注意散热措施,以避免过热损坏。
    - 使用过程中,确保栅源电压不超过±20V,以防止损坏栅极绝缘层。
    - 在设计电路时,合理配置外围元件,特别是栅极电阻,以优化开关速度和减少EMI干扰。

    5. 兼容性和支持


    该产品具有良好的兼容性,可以方便地集成到现有的电子系统中。厂商提供了详尽的技术支持和维护服务,以确保客户能够充分发挥产品的性能。如有需要,可联系服务热线:400-655-8788 获取进一步的支持。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题: 高温环境下功耗过大,导致温度过高。
    - 解决方案: 采用有效的散热措施,如增加散热片或散热风扇,以降低工作温度。
    - 问题: 开关速度慢,影响整体效率。
    - 解决方案: 调整栅极电阻值,以优化开关速度和减少EMI干扰。
    - 问题: 零栅源电压下漏电流过高。
    - 解决方案: 检查电路设计,确保栅极信号稳定且无噪声干扰。

    7. 总结和推荐


    总体而言,这款N-Channel 80V MOSFET 是一款高效、可靠的电力转换器件,特别适合于初级侧开关、同步整流和LED背光等领域。其卓越的性能和广泛的应用范围使其在市场上具有很强的竞争力。强烈推荐在需要高效电力转换和控制的应用中使用该产品。

P0908AT-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 80V
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 100A
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.7V
配置 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 7mΩ@10V,9mΩ@4.5V
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

P0908AT-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

P0908AT-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 P0908AT-VB P0908AT-VB数据手册

P0908AT-VB封装设计

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