处理中...

首页  >  产品百科  >  P55NF06L-VB

P55NF06L-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n60V,60A,RDS(ON),11mΩ@10V,13mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.9Vth(V) 封装:TO220\n一款单通道N沟道场效应管,具有适中的电压容限和漏极电流,适用于中功率应用场景。
供应商型号: P55NF06L-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) P55NF06L-VB

P55NF06L-VB概述


    产品简介


    P55NF06L 是一款由 VBsemi 生产的 N-沟道 60V(D-S)功率 MOSFET,适用于各种电子设备中作为开关或驱动器。该产品具备高可靠性,可在高达 175°C 的结温环境下工作。主要应用于电源管理、电机控制、照明系统等领域。

    技术参数


    - 栅极-源极电压(VGS):±20V
    - 连续漏极电流(TJ = 175°C):50A(TC = 25°C),50A(TC = 100°C)
    - 脉冲漏极电流(IDM):200A
    - 最大功耗(TC = 25°C):136W
    - 工作结温和存储温度范围(TJ, Tstg):-55°C 至 175°C
    - 热阻(最大结到外壳 RthJC):0.85°C/W
    - 漏源击穿电压(VDS):60V
    - 栅阈值电压(VGS(th)):1V 至 3V
    - 零栅电压漏极电流(IDSS):1μA(VDS = 60V, VGS = 0V, TJ = 125°C)至 50μA(VDS = 60V, VGS = 0V, TJ = 175°C)
    - 导通状态漏极电流(ID(on)):60A(VDS = 5V, VGS = 10V)
    - 导通状态漏源电阻(RDS(on)):0.011Ω(VGS = 10V, ID = 20A)

    产品特点和优势


    - 耐高温:可承受高达 175°C 的结温,适用于严苛环境。
    - 低导通电阻:最小导通电阻仅为 0.011Ω,确保低损耗运行。
    - TrenchFET® Power MOSFET:采用先进的 TrenchFET 结构,提供高效率和高可靠性。
    - 短路保护:具备强大的短路保护能力,能够安全应对瞬间电流冲击。

    应用案例和使用建议


    - 电源管理:P55NF06L 可用于 DC/DC 转换器,特别是在需要高效率的应用中,如服务器电源、通讯设备电源等。
    - 电机控制:适合于电动机的启动和停止控制,通过精确控制电流来调节电机速度和方向。
    - 照明系统:应用于 LED 照明系统的调光和驱动电路,提高能效。
    使用建议:
    - 在设计电路时,需考虑温度的影响,确保散热良好,避免过热导致的性能下降。
    - 使用合适的栅极驱动电路,以保证开关过程中的稳定性。

    兼容性和支持


    - 封装类型:TO-220AB,便于安装和焊接到 PCB 上。
    - 制造商支持:提供详细的技术文档和客户支持,确保用户能够充分利用产品功能。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:长时间使用后发热严重。
    - 解决方案:确保良好的散热条件,选用合适尺寸的散热器。
    - 问题2:开关过程中出现振铃现象。
    - 解决方案:添加适当的栅极电阻以抑制振铃。

    总结和推荐


    P55NF06L 是一款高性能的 N-沟道 MOSFET,具有优秀的耐高温性能和低导通电阻,非常适合电源管理和电机控制等应用。其出色的稳定性和可靠性使得该产品在市场上具有很高的竞争力。强烈推荐在需要高效率和高可靠性的应用中使用。

P55NF06L-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 11mΩ@10V,13mΩ@4.5V
通道数量 -
Id-连续漏极电流 60A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.9V
Vds-漏源极击穿电压 60V
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
配置 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

P55NF06L-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

P55NF06L-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 P55NF06L-VB P55NF06L-VB数据手册

P55NF06L-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.6248
100+ ¥ 2.4304
500+ ¥ 2.3332
1000+ ¥ 2.236
库存: 400000
起订量: 15 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:15
合计: ¥ 39.37
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504