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FL014-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,4A,RDS(ON),76mΩ@10V,85mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.53Vth(V) 封装:SOT223-3适用于需要小功率场效应管的应用场景,例如电源管理模块、传感器模块、LED驱动模块和便携式电子产品等领域。
供应商型号: FL014-VB SOT223-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FL014-VB

FL014-VB概述


    产品简介


    FL014是一款N沟道零伏(漏极-源极)MOSFET,采用先进的TrenchFET®技术制造。其主要特点是无卤素设计,适用于便携式设备中的负载开关。FL014具有高效能、低导通电阻等特点,广泛应用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备及其他便携式电子设备中。

    技术参数


    - 漏源电压(VDS):60V
    - 导通电阻(RDS(on)):
    - 在VGS = 10V时为0.076Ω
    - 在VGS = 未知V时为0.08Ω
    - 连续漏极电流(ID):
    - TC = 25°C时为7A
    - TC = 70°C时为3.5A
    - 脉冲漏极电流(IDM):20A
    - 最大功率耗散(PD):
    - TC = 25°C时为4.0W
    - TC = 70°C时为3.0W
    - 热阻(RthJA):
    - 最大值为50°C/W
    - 最大值为20°C/W(从接点到脚)
    - 阈值电压(VGS(th)):
    - 在VDS = VGS,ID = 250μA时为1.0V
    - 零栅极电压漏极电流(IDSS):
    - 在VDS = 0V,VGS = 0V时为1μA

    产品特点和优势


    FL014的主要优势包括:
    - 无卤素设计,符合环保标准。
    - 具备高效率和低导通电阻,适合便携式设备中的电源管理。
    - 支持高脉冲电流和热稳定性,适用于各种严苛的工作环境。
    - 采用TrenchFET®技术,提供优异的开关特性和低开关损耗。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 在便携式设备的电池管理电路中作为负载开关,确保设备的稳定运行。
    - 用于便携式医疗设备,如血糖仪、心率监测器等,以实现精确的电源控制。
    使用建议
    - 在设计电路时,应充分考虑散热需求,以避免长时间工作导致的过热。
    - 选择合适的栅极驱动电压,以确保MOSFET在正常范围内工作,减少导通损耗。

    兼容性和支持


    FL014与市面上主流的便携式设备兼容,适用于SOT-223封装。制造商提供详细的用户手册和技术支持,以帮助客户更好地理解和使用该产品。此外,对于常见的焊接和安装问题,手册中提供了详尽的操作指南。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:如何处理无铅焊锡工艺?
    - 解决方案: 推荐使用自动焊接工艺,手动焊接可能导致焊点质量不佳。参考手册中的焊接建议。
    - 问题2:温度过高时MOSFET的工作情况?
    - 解决方案: 在高温环境下,应降低连续工作电流,以确保MOSFET不超出安全温度范围。手册中提供了详细的电流降额曲线图。
    - 问题3:如何测试MOSFET的开关性能?
    - 解决方案: 参考手册中的典型特性图,利用专业的测试仪器进行开关时间、输出电容等参数的测量。

    总结和推荐


    综上所述,FL014是一款高性能、环保的N沟道MOSFET,适用于便携式设备中的负载开关。其优越的电气特性和良好的工作稳定性使其成为电源管理的理想选择。尽管需要特别注意散热和焊接工艺,但总体来说,这是一款值得推荐的产品。对于需要高效率、低功耗的便携式电子设备,FL014是不可或缺的重要元件。

FL014-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 60V
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 4A
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.53V
栅极电荷 -
通道数量 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 76mΩ@10V,85mΩ@4.5V
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

FL014-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FL014-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 FL014-VB FL014-VB数据手册

FL014-VB封装设计

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