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K3569_06-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单N沟道MOSFET,具有650V的漏极-源极电压(VDS),30V的门-源电压(VGS),以及3.5V的阈值电压(Vth)。采用平面工艺制造,具有TO220F封装,适用于各种应用场景
供应商型号: K3569_06-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K3569_06-VB

K3569_06-VB概述

    K356906-VB N-Channel 650V Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    K356906-VB 是一款 N-Channel 650V(D-S)功率 MOSFET,广泛应用于电源管理和工业控制领域。该器件具备出色的低导通电阻和低门极电荷特性,能够显著降低开关损耗和传导损耗。这款 MOSFET 主要适用于服务器和电信电源系统、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)以及照明应用,如高强度放电灯(HID)和荧光灯镇流器。此外,它还适用于各类工业应用。

    技术参数


    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏源电压 | - | 650 | - | V |
    | 栅源电压 | -30 | - | 30 | V |
    | 连续漏极电流(TJ = 150°C) | - | 12 | - | A |
    | 脉冲漏极电流 | - | - | 45 | A |
    | 漏源导通电阻(VGS = 10V) | - | 3 | 5 | V |
    | 总栅极电荷(Qg) | - | 43 | - | nC |
    | 栅源电荷(Qgs) | - | 5 | - | nC |
    | 栅漏电荷(Qgd) | - | 22 | - | nC |
    | 热阻抗(RthJA) | - | - | 60 | °C/W |

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻和低栅极电荷:K356906-VB 具有低漏源导通电阻(Ron),同时其总栅极电荷(Qg)也很低,有助于减少切换过程中的能量损失。
    2. 高效率:由于低输入电容(Ciss)和超低栅极电荷(Qg),该器件能够在高频下高效工作,适合要求低损耗的应用场合。
    3. 鲁棒性:具备重复冲击能力和反向恢复特性,可以应对极端工作环境和负载变化。
    4. 易用性:紧凑的封装和简单的设计使其易于集成到现有系统中,适用于多种应用。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    1. 服务器和电信电源:K356906-VB 在这些应用中主要用于电压转换和稳压,其高可靠性可以在长时间运行中保持稳定性能。
    2. 照明系统:特别是在 HID 和荧光灯照明系统中,它的快速开关特性使得照明设备能够实现高效能输出。
    使用建议:
    1. 散热设计:在高电流和高电压应用中,需要确保良好的散热设计以防止过热。
    2. 驱动电路:为确保器件可靠工作,建议使用适当的栅极驱动电路,以优化开关速度和降低能耗。
    3. 电源设计:在设计开关模式电源时,考虑到高频率工作的需求,选择合适的电路布局和滤波器。

    兼容性和支持


    K356906-VB 具有良好的兼容性,可与其他标准电源管理 IC 配合使用。VBsemi 提供详尽的技术支持文档和客户服务热线(400-655-8788),用户可以咨询技术问题并获取必要的技术支持。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 开关损耗过高 | 检查电路设计和驱动条件,确认没有额外的寄生电感存在。 |
    | 过热 | 确保良好的散热措施,检查热阻和散热片的安装情况。 |
    | 开关延迟时间过长 | 调整栅极电阻和驱动电压,以提高开关速度。 |

    总结和推荐


    K356906-VB N-Channel 650V Power MOSFET 是一款高性能的功率 MOSFET,具有低导通电阻、低栅极电荷和高效率等特点。它适用于服务器电源、电信电源、照明系统和工业控制等多种应用场景。通过详细的技术参数和全面的应用建议,可以看出 K356906-VB 在这些领域的优越性能和稳定性。我们强烈推荐此产品用于需要高效率和可靠性的电力系统中。

K3569_06-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 12A
Rds(On)-漏源导通电阻 680mΩ@ 10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
配置 -
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K3569_06-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K3569_06-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K3569_06-VB K3569_06-VB数据手册

K3569_06-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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