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HM30N10K-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,100V,40A,RDS(ON),30mΩ@10V,31mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO252 晶体管具有较高的漏极电流容量和较低的漏极-源极电阻,非常适合用作汽车电子模块中的功率开关器件。在汽车电子模块中,它可以用于发动机控制、电动助力转向、车载充电桩等应用,确保汽车系统的稳定性和性能。
供应商型号: HM30N10K-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) HM30N10K-VB

HM30N10K-VB概述

    HM30N10K-VB N-Channel 100-V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    HM30N10K-VB 是一款N沟道100V耐压的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于TrenchFET®功率MOSFET系列。该产品具有低热阻特性,适用于各种高电流、高温应用场合。主要功能包括优异的导电能力和快速开关性能。其广泛应用于电源管理、电机驱动和逆变电路等领域。

    2. 技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | V(BR)DSS | 100 V |
    | 栅源阈值电压 | VGS(th) | 1 | 3 V |
    | 栅极漏电流 | IGSS ±100 | nA |
    | 零栅源电压漏电流 | IDSS 1 μA |
    | 导通状态漏源电阻 | rDS(on) | 0.030 0.067 | Ω |
    | 转导电导率 | gfs | 10 S |
    | 输入电容 | Ciss | 2600 pF |
    | 输出电容 | Coss 290 | pF |
    | 反向传输电容 | Crss 120 | pF |
    | 总栅极电荷 | Qg | 35 | 60 nC |

    3. 产品特点和优势


    - 低热阻特性:HM30N10K-VB 采用了低热阻设计,能够在高温环境下稳定工作,适合高电流负载的应用。
    - 高性能 TrenchFET® 结构:此结构提升了导电效率,减少能耗,适用于需要高效能的电源管理系统。
    - 宽工作温度范围:支持-55℃至175℃的工作温度范围,保证了在极端环境下的可靠性。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 电源转换:用于AC-DC转换器或DC-DC转换器中,提升效率。
    - 电机控制:在电动机驱动系统中作为开关器件,实现高效的电流控制。
    使用建议:
    - 由于其较高的工作温度限制,建议在设计电路时充分考虑散热问题,确保长期稳定运行。
    - 在高电流情况下,注意避免过载导致的热失控风险。

    5. 兼容性和支持


    HM30N10K-VB 的外形尺寸符合 TO-252 封装标准,可以轻松与其他标准器件配合使用。供应商提供详尽的技术支持,包括设计咨询和技术文档,帮助用户最大化产品效能。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 过热导致性能下降 | 加强散热措施,如增加散热片 |
    | 导通状态下的电阻偏大 | 确认 VGS 达到额定值,检查电路连接 |
    | 开关速度慢 | 优化栅极驱动电路,减少寄生电感 |

    7. 总结和推荐


    综上所述,HM30N10K-VB 在设计上具备出色的性能和可靠性,适用于多种高压、高电流的应用场景。尽管在使用过程中需注意散热和驱动条件,但通过合理的电路设计和良好的散热措施,该产品能够充分发挥其优异的特性。因此,强烈推荐在相关项目中采用 HM30N10K-VB MOSFET。

HM30N10K-VB参数

参数
配置 -
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.8V
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 30mΩ@10V,31mΩ@4.5V
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 100V
Id-连续漏极电流 40A
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

HM30N10K-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

HM30N10K-VB数据手册

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HM30N10K-VB封装设计

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