处理中...

首页  >  产品百科  >  UPA1910TE-VB

UPA1910TE-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-30V,-4.8A,RDS(ON),49mΩ@10V,54mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1~-3Vth(V) 封装:SOT23-6
供应商型号: UPA1910TE-VB SOT23-6
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UPA1910TE-VB

UPA1910TE-VB概述

    UPA1910TE P-Channel 30-V MOSFET 技术手册

    产品简介


    UPA1910TE 是一款由台湾VBsemi公司生产的P沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于负载开关应用。该产品具有出色的电气特性和稳定性,广泛应用于消费电子、工业自动化及汽车电子等领域。

    技术参数


    以下是UPA1910TE的主要技术规格:
    - 电压规格:
    - 最大漏源电压 \(V{DS}\): 30 V
    - 最大栅源电压 \(V{GS}\): ±20 V
    - 漏极连续电流 \(ID\):
    - 在25°C时:4.8 A
    - 在70°C时:4.1 A
    - 最大脉冲漏极电流 \(I{DM}\): 20 A
    - 热特性:
    - 最大功率耗散 \(PD\):
    - 在25°C时:3.0 W
    - 在70°C时:2.0 W
    - 热阻:
    - 最大结到环境热阻 \(R{thJA}\): 55-62.5°C/W
    - 最大结到引脚(漏极)热阻 \(R{thJF}\): 34-41°C/W
    - 电气特性:
    - 漏源击穿电压 \(V{DS}\): -30 V
    - 通态漏源电阻 \(R{DS(on)}\):
    - \(V{GS} = -10 V\) 时:0.049 Ω
    - \(V{GS} = -4.5 V\) 时:0.054 Ω
    - 门电荷 \(Qg\):
    - \(V{GS} = -10 V\) 时:10-15 nC
    - \(V{GS} = -4.5 V\) 时:5.1-8 nC

    产品特点和优势


    UPA1910TE的主要优势包括:
    - 低导通电阻:典型值为0.049 Ω(\(V{GS} = -10 V\))和0.054 Ω(\(V{GS} = -4.5 V\)),有助于减少损耗,提高效率。
    - 高耐压:最大漏源电压为30 V,适用于高压应用。
    - 快速开关性能:快速的上升时间(\(tr\))和下降时间(\(tf\))有助于提高电路的开关速度。
    - 卤素无害:符合IEC 61249-2-21标准,适合环保要求高的应用场景。

    应用案例和使用建议


    UPA1910TE主要应用于负载开关,以下是一些实际应用案例:
    - 消费电子:如笔记本电脑、智能手机的电源管理模块。
    - 工业自动化:用于电机驱动和电源转换。
    - 汽车电子:用于车身控制系统和电池管理系统。
    使用建议:
    - 在设计电路时,应确保选择合适的散热措施,特别是在高温环境下使用时。
    - 建议使用带有良好散热性能的PCB板,以减少温度对性能的影响。

    兼容性和支持


    UPA1910TE与市场上主流的PCB封装和连接器兼容,便于集成到现有系统中。台湾VBsemi公司提供了详尽的技术支持和售后服务,帮助客户解决应用过程中可能遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    - 问题:产品在高温环境下性能不稳定。
    - 解决方案:建议增加散热片或散热风扇,改善散热条件。

    - 问题:电路出现异常噪声。
    - 解决方案:检查电路布局,确保接地良好,减少信号干扰。

    总结和推荐


    UPA1910TE是一款高性能的P沟道MOSFET,适用于多种高压应用场合。其低导通电阻、快速开关性能和良好的电气特性使其在市场上具有较高的竞争力。对于需要高压、高效能的应用场景,UPA1910TE是一个值得推荐的选择。如果您需要进一步了解产品细节或技术支持,请联系台湾VBsemi公司的服务热线:400-655-8788。

UPA1910TE-VB参数

参数
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 49mΩ@10V,54mΩ@4.5V
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个P沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -1V~-3V
Id-连续漏极电流 4.8A
Vds-漏源极击穿电压 30V
栅极电荷 -
配置 -
最大功率耗散 -
通用封装 SOT-6
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UPA1910TE-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UPA1910TE-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UPA1910TE-VB UPA1910TE-VB数据手册

UPA1910TE-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
35+ ¥ 0.7779
100+ ¥ 0.7203
500+ ¥ 0.6915
3000+ ¥ 0.6627
库存: 400000
起订量: 35 增量: 3000
交货地:
最小起订量为:35
合计: ¥ 27.22
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504