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K6A45DA-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO220F,具有高性能和可靠性,适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。650V,7A,RDS(ON),1100mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V)
供应商型号: K6A45DA-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K6A45DA-VB

K6A45DA-VB概述

    # K6A45DA Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    K6A45DA 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET,具有低导通电阻和低栅极电荷的特点。这种 MOSFET 主要应用于服务器和电信电源系统、开关模式电源供应(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)以及照明等领域,特别是在高强度放电灯(HID)和荧光灯照明的应用中表现出色。此外,它还广泛用于工业设备中。

    技术参数


    主要

    技术参数


    - 最大漏源电压 (VDS): 650V
    - 最大漏电流 (ID): 4A @ TJ = 150°C
    - 最大导通电阻 (RDS(on)): 1Ω @ 10V栅极电压
    - 最大栅极电荷 (Qg): 32nC
    - 最大输入电容 (Ciss): 25pF
    - 最大输出电容 (Coss): 45pF
    - 最大反向传输电容 (Crss): 62pF
    - 最大单脉冲雪崩能量 (EAS): 97mJ
    - 最大功率耗散 (PD): 2.7W
    - 热阻 (RthJA): 63°C/W
    工作环境
    - 工作温度范围: -55°C 至 +150°C
    - 存储温度范围: -55°C 至 +150°C
    - 最大漏源电压斜率 (dV/dt): 65V/ns

    产品特点和优势


    - 低导通电阻 (RDS(on)): 使得功耗降低,提高了效率。
    - 低栅极电荷 (Qg): 减少了开关损耗,提高了切换速度。
    - 高雪崩能量等级: 可承受高瞬态电压冲击,可靠性更高。
    - 低输入电容 (Ciss): 减少了驱动器的负担,提高了系统的整体性能。
    - 快速开关特性: 适合高频应用,降低了整体功耗。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 服务器和电信电源系统: 利用其低导通电阻和快速开关特性,有效减少了电源转换过程中的能量损失。
    - 荧光灯照明: 由于其能够在较高频率下工作,适合用于荧光灯镇流器,提供了更高效的照明解决方案。
    - 工业设备: 在各种工业控制应用中,其高可靠性和低功耗特性使其成为理想选择。
    使用建议
    - 在使用 K6A45DA 时,应注意避免长时间处于高温环境下,以减少漏电流,延长使用寿命。
    - 在设计电路时,需要合理选择栅极电阻,以确保适当的开关速度,避免不必要的热量产生。
    - 为确保最佳性能,建议采用低杂散电感和良好的接地平面设计。

    兼容性和支持


    - K6A45DA 与大多数常见的驱动器和控制系统兼容,支持多种不同的应用配置。
    - 厂商提供详细的技术支持和维护服务,包括应用指南、样品请求和产品咨询等,确保客户能够顺利集成该器件到他们的设计方案中。

    常见问题与解决方案


    常见问题
    1. 如何正确焊接 MOSFET?
    - 解决方案: 建议使用峰值温度为 300°C 的焊接工艺,并且保持焊锡时间不超过 10 秒。
    2. 如何减少漏电流?
    - 解决方案: 确保 MOSFET 在合适的温度范围内工作,特别是在高温环境下应注意散热措施。
    3. 如何测试 MOSFET 的雪崩能量?
    - 解决方案: 使用标准的雪崩能量测试电路进行测量,确保符合规定的安全操作区域。

    总结和推荐


    综合评估
    K6A45DA 是一款高性能、高可靠性的 MOSFET,特别适用于高效率、高频工作的应用场合。其低导通电阻和低栅极电荷特性显著提升了系统效率,同时,其高雪崩能量等级增强了系统的抗冲击能力。在多种应用场景中,K6A45DA 都能提供卓越的性能表现。
    推荐
    鉴于其出色的性能和广泛的适用性,强烈推荐 K6A45DA 用于需要高效率和可靠性的电源转换和控制应用中。

K6A45DA-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 7A
最大功率耗散 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
通道数量 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 1.1Ω@ 10V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K6A45DA-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K6A45DA-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K6A45DA-VB K6A45DA-VB数据手册

K6A45DA-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.498
100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 3.1093
1000+ ¥ 2.9798
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型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
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