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K1428-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n100V,18A,RDS(ON),127mΩ@10V,132mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2~4Vth(V) 封装:TO220\n一款单N沟道功率MOSFET,适用于多种低功率功率电子应用。具有高性能和可靠性,特别适合要求高效率和低功率的电源和驱动器应用。
供应商型号: K1428-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K1428-VB

K1428-VB概述

    K1428-VB N-Channel 100-V (D-S) MOSFET

    1. 产品简介


    K1428-VB是一款由台湾VBsemi公司生产的N沟道100-V MOSFET。这款MOSFET的主要功能是作为开关器件,在直流到直流转换器(如隔离型DC/DC转换器)中发挥重要作用。它采用了TrenchFET®技术,具备低热阻封装、高工作温度(最高可达175°C)以及可靠的设计。

    2. 技术参数


    K1428-VB的技术参数如下:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | V(BR)DSS | - | 100 | - | V |
    | 栅阈值电压 | VGS(th) | 2 | 4 | - | V |
    | 零栅电压漏极电流 | IDSS | - | 1 | 50 | µA |
    | 开启状态漏极电流 | ID(on) | - | 120 | - | A |
    | 开启状态漏源电阻 | rDS(on) | - | 0.127 | - | Ω |
    | 前向跨导 | gfs | - | 25 | - | S |
    | 输入电容 | Ciss | 130 | - | - | pF |
    | 输出电容 | Coss | - | 260 | - | pF |
    | 反转传输电容 | Crss | - | 110 | - | pF |
    | 总栅极电荷 | Qg | - | 28 | - | nC |
    此外,该MOSFET的绝对最大额定值如下:
    | 参数 | 符号 | 限值 | 单位 |
    ||
    | 漏源电压 | VDS | 100 | V |
    | 栅源电压 | VGS | ±20 | V |
    | 持续漏极电流(TJ=175°C) | ID | 18 | A |
    | 脉冲漏极电流 | IDM | 68 | A |
    | 最大功率耗散(TA=25°C) | PD | 3.75 | W |

    3. 产品特点和优势


    K1428-VB的主要特点和优势包括:
    - 高可靠性:采用TrenchFET®技术,确保在极端条件下的稳定性能。
    - 宽工作温度范围:可在-55°C至175°C范围内正常工作。
    - 低热阻封装:有助于提高散热效率,延长使用寿命。
    - 高阈值电压:保证在高电流和高温度条件下仍能可靠工作。
    - 高栅阈值电压:减少误触发的可能性。

    4. 应用案例和使用建议


    K1428-VB广泛应用于隔离型DC/DC转换器中。例如,在需要高电压转换的应用中,K1428-VB能够提供高效、稳定的转换效果。此外,对于需要高温环境下工作的设备,该MOSFET也能提供可靠的性能。
    使用建议:
    - 确保在使用过程中保持适当的散热措施,以避免因过热导致的损坏。
    - 在选择外部电路组件时,应考虑其与MOSFET的匹配性,特别是驱动电路的设计。

    5. 兼容性和支持


    K1428-VB与多数标准的驱动电路和控制器兼容。VBsemi公司提供了详尽的技术文档和客户支持,以帮助用户更好地理解和使用该产品。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:如何正确选择栅极驱动电阻?
    - 解决方案:根据具体的应用需求和负载情况选择合适的栅极驱动电阻,通常建议使用制造商推荐的电阻值。

    - 问题2:在高电流条件下工作时,如何保证散热效果?
    - 解决方案:使用适当的散热器,并确保良好的空气流通。还可以通过增加PCB面积来提高散热效率。

    7. 总结和推荐


    K1428-VB N-Channel 100-V MOSFET是一款高性能、高可靠性的电子元器件,适用于多种工业应用。其宽广的工作温度范围、低热阻封装和高可靠性使其成为在高要求环境中工作的理想选择。综上所述,强烈推荐此产品用于隔离型DC/DC转换器和其他类似应用中。

K1428-VB参数

参数
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 18A
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 127mΩ@10V,132mΩ@4.5V
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V~4V
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 100V
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K1428-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K1428-VB数据手册

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K1428-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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500+ ¥ 1.7275
1000+ ¥ 1.6556
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